Модули GBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с пакетом размером 34 мм являются силовыми электронными устройствами, используемыми для применения высокого напряжения и высокого тока.Модули IGBT объединяют в себе функции MOSFET (транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника) и транзисторов биполярного соединения, обеспечивающие такие преимущества, как высокая напряженность, низкие потери в состоянии работы и быстрые скорости переключения.