продукты

Домой > продукты > Автомобильные модули > 750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM

Категории

IGBT дискретный

(2)

Контакты

Контакты: Mr. Zhou

Телефон: 86-1360-528-8329

Свяжитесь сейчас

Перешлите нас

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM

Name: 750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM
Brand: 750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM
SKU: SPS820F08HDM4
Rating: 4.6 (149 reviews)

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS820F08HDM4

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Модуль питания автомобилей 750V 820A, Модуль IGBT полного моста, Автомобильный электронный модуль OEM
                              

Сертификации:	CE, FCC, RoHS	Цвет:	Черный
Совместимость:	Совместима с большинством современных транспортных средств	Подключение:	Проводные
Размеры:	Разница в зависимости от конкретного модуля	Функция:	Управление и мониторинг различных систем в транспортном средстве
Материал:	Пластик и металл	Операционная температура:	-40°C к 85°C
Рабочее напряжение:	12 В	Тип:	Электронный
Гарантия:	1 год	Вес:	Разница в зависимости от конкретного модуля

Сертификации:	CE, FCC, RoHS
Цвет:	Черный
Совместимость:	Совместима с большинством современных транспортных средств
Подключение:	Проводные
Размеры:	Разница в зависимости от конкретного модуля
Функция:	Управление и мониторинг различных систем в транспортном средстве
Материал:	Пластик и металл
Операционная температура:	-40°C к 85°C
Рабочее напряжение:	12 В
Тип:	Электронный
Гарантия:	1 год
Вес:	Разница в зависимости от конкретного модуля

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM

Сильная энергия DS-SPS820F08HDM4-S04090002

750 В 820A IGBT Полное Мост Модуль

750 В 820A IGBT

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 0

Особенности:

□ Технология 750В Trench+ Field Stop

□ Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией

□ V_{CE ((sat)}с положительным температурным коэффициентом

□ Низкие потери при переключении

□ Прочность короткого замыкания

Типичный Применение:

□ Двигатели

□ Гибридные электромобили

□ Автомобильные приложения

□ коммерческие сельскохозяйственные транспортные средства

Пакет

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Испытательное напряжение изоляции	ВИЗОЛ	RMS, f = 0 Hz, t = 1 s		4.2			kV
Материал основной платы модуля				Ку
Внутренняя изоляция		(класс 1, IEC 61140) Основная изоляция (класс 1, IEC 61140)		Аль.₂О₃
Расстояние ползания	ДРЕПП	Терминал к теплоотводу		9.0			мм
	ДРЕПП	терминал к терминалу		9.0
Разрешение	Да, ясно.	Терминал к теплоотводу		4.5			мм
	Да, ясно.	терминал к терминалу		4.5
Сравнительный индекс отслеживания	CTI			> 200

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Модуль блуждающей индуктивности	LsCE				10		nH
Модульное сопротивление свинцу, терминалы - чип	RCC+EE		T_В= 25°C		0.75		mΩ
Температура хранения	Tstg			-40		125	°C
Момент установки для установки модуля	М4	основной пластинки для теплоотвода		1.8		2.2	Nm
	M3	ПКБ к каркасу		0.45		0.55	Nm
Вес	G				725		g

IGBT

Максимальная Рейтинговый Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Напряжение коллектора-излучателя	VCES		T_вж= 25°C	750	V
Максимальное напряжение порта-излучателя	VGES			± 20	V
Переходное напряжение порта-излучателя	VGES	t_p≤ 10μs, D=0.01		± 30	V
Внедренный ток коллектора	ICN			820	А.
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока	Я..._В	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	А.
Импульсный ток коллектора,tp ограничен T_jmax	ICpulse			1640	А.
Рассеивание энергии	Ptot		T_F=75°C	769	W

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Положение	Символ	Условия		Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.	Единица
Напряжение насыщения коллектора-излучателя	VCE ((sat)	Я..._В=450A, V_ГЭ=15В	T_вж= 25°C		1.20	1.40	V
			T_вж=125°C		1.24
			T_вж= 150°C		1.27
		Я..._В=820A, V_ГЭ=15В	T_вж= 25°C		1.40	1.60
			T_вж=125°C		1.55
			T_вж= 150°C		1.60
Пороговое напряжение	VGE ((th)	V_CE=V_ГЭЯ..._В= 9,6mA		5.1	5.8	6.5	V
Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	V_CE=750В, V_ГЭ=0В	T_вж= 25°C			100	μA
Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	V_CE=750В, V_ГЭ=0В	T_вж= 150°C			5	mA
Ток утечки от порта-излучателя	IGES	V_CE=0V,V_ГЭ=±20В, T_вж= 25°C		-200.		200	nA
Сбор за вход	Q._G	V_CE= 400 В, I_В= 450 А, В_ГЭ=-8/+15В			1.6		μC
Внутренний резистор шлюза	RGint				0.8		Ω
Вводная емкость	Сие	V_CE=25В, V_ГЭ=0V, f =100kHz			42.4		nF
Выходная емкость	Коэ				3.1
Капацитет обратной передачи	Крес				0.8
Время задержки включения, индуктивная нагрузка	Включено	V_CC= 400 В,I_В=450A R_Гон= 2,5Ω, V_ГЭ=-8/+15В	T_вж= 25°C		90		n
			T_вж=125°C		92		n
			T_вж= 150°C		96		n
Время подъема, индуктивная нагрузка	t_r		T_вж= 25°C		64		n
			T_вж=125°C		68		n
			T_вж= 150°C		70		n
Время задержки отключения, индуктивная нагрузка	Тд ((отключено)	V_CC= 400 В,I_В=450A R_Гофф.= 5,1Ω, V_ГЭ=-8/+15В	T_вж= 25°C		520		n
			T_вж=125°C		580		n
			T_вж= 150°C		590		n
Время падения, индуктивная нагрузка	t_f		T_вж= 25°C		200		n
			T_вж=125°C		310		n
			T_вж= 150°C		320		n
Потеря энергии при включении на импульс	Эон	V_CC= 400 В,I_В=450A R_G= 2,5Ω,R_Гофф.= 5,1Ω V_ГЭ=-8/+15В	T_вж= 25°C		15.0		mJ
			T_вж=125°C		18.0		mJ
			T_вж= 150°C		20.0		mJ
Выключить потерю энергии на импульс	Еоф		T_вж= 25°C		33.5		mJ
			T_вж=125°C		41.0		mJ
			T_вж= 150°C		43.0		mJ

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Положение	Символ	Условия		Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.	Единица
Данные SC	МКК	V_ГЭ≤ 15 В, В_CC=400В	tp≤3μs T_вж= 150°C			5400	А.
Тепловое сопротивление IGBT, жидкость охлаждения соединения	RthJF					0.13	К / В
Операционная температура	TJop			-40		175	°C

Диод

Максимальная Рейтинговый Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Повторяющееся обратное напряжение	VRRM		T_вж= 25°C	750	V
Внедренный переходный ток	ICN			820	А.
Постоянный постоянный ток вперед	Я..._F	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	А.
Диодный импульсный ток,tp ограниченный T_Jmax	IFpulse			1640	А.

Характеристика Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Напряжение вперед	V_F	Я..._F= 450 А, В_ГЭ=0В	T_вж= 25°C		1.20	1.60	V
			T_вж=125°C		1.16
			T_вж= 150°C		1.14
		Я..._F=820A, V_ГЭ=0В	T_вж= 25°C		1.42	1.80
			T_вж=125°C		1.43
			T_вж= 150°C		1.44
Время обратного восстановления	trr	Я..._F=450А ДИ_F/dt=-6700A/μs (T)_вж=150°C) V_R= 400 В, V_ГЭ=-8В	T_вж= 25°C		122		n
			T_вж=125°C		160
			T_вж= 150°C		172
Пиковый обратный рекуперативный ток	IRRM		T_вж= 25°C		295		А.
			T_вж=125°C		360
			T_вж= 150°C		375
Сбор за возврат средств	QRR		T_вж= 25°C		28.5		μC
			T_вж=125°C		40.5
			T_вж= 150°C		43.5
Потери энергии обратной рекуперации на импульс	Эрек		T_вж= 25°C		6.2		mJ
			T_вж=125°C		11.7
			T_вж= 150°C		13.2
Тепловое сопротивление диодов, жидкость охлаждения с соединением	RthJFD					0.25	К / В
Операционная температура	TJop			-40		175	°C

НТК-термистор

Характеристика Ценности

Положение

Символ

Условия

Ценности

Единица

Номинальное сопротивление

R25

T_В= 25°C

5.00

kΩ

Значение B

R25/50

3375

Выпуск характеристика (типичная) Выпуск характерный (типичный)

Я..._В= f (V_CE) Т_вж= 150°C

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 5

IGBT

Перевод характеристика (типичная) Потери переключения IGBT (типичная)

Я..._В= f (V_ГЭ) V_CE= 20В E = f (R_G)

V_ГЭ= -8/+15В, I_В= 450A, V_CE= 400 В

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 6

IGBT(RBSOA)

Потери переключения IGBT (типичные) Обратные предвзятость безопасно работающий Площадь (RBSOA)

E = f (I_В) I_В=f (V)_CE)

V_ГЭ= -8/+15В, R_Гон= 2,5Ω,R_Гофф.= 5.1Ω, V_CE= 400 В_ГЭ= -8/+15В, R_Гоф= 5,1Ω, T_вж= 150°C

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 7

Типичный емкость как Функция коллектор-эмитент напряжение (типичный)

C = f (V)_CE) V_ГЭ= f (Q_G)

f = 100 кГц, V_ГЭ= 0V I_В= 450A, V_CE= 400 В

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 8

IGBT

IGBT преходящий тепловая Импеданс Вперед характеристика из Диод (типичный)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 9

Потери переключения Диод (типичный) Потери переключения Диод (типичный)

Е_Рекс= f (R_G) E_Рекс= f (I_F)

Я..._F= 450A, V_CE= 400 В R_G= 2,5Ω, V_CE= 400 В

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 10

Диод преходящая тепловая Импеданс NTC-Термистор-температура характеристика (типичный)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 11

Модуль IGBT в инверторе представляет собой компактную сборку, содержащую изолированные биполярные транзисторы (IGBT) и другие компоненты.IGBT играют решающую роль в переключении и преобразовании постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в устройствах, таких как двигателиМодуль упрощает интеграцию, а правильное охлаждение имеет важное значение для эффективности и надежности.

Круговая диаграмма заголовок

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 12

Пакет Очертания

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM 14

Размеры в мм

мм

Tags:

Модули IGBT 34 мм

Модули IGBT 62 мм

Модули IGBT EconoDual3

Модули IGBT EasyPIM

Модули IGBT EconoPack

Модули IGBT EconoPIM

Автомобильные модули

Гибридные дискретные SiC

Mosfet дискретный

IGBT дискретный

750V 820A Модули питания автомобилей Электронный полный мост IGBT Модуль OEM

Модуль питания автомобилей 750V 820A

Модуль IGBT полного моста

Автомобильный электронный модуль OEM

Модуль питания автомобилей,

Автомобильный электронный модуль,

Модуль IGBT полного моста

Модули IGBT 34 мм

Модули IGBT 62 мм

Модули IGBT EconoDual3

Модули IGBT EasyPIM

Модули IGBT EconoPack

Модули IGBT EconoPIM

Автомобильные модули