продукты

Домой > продукты > Mosfet дискретный > 1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

Категории

IGBT дискретный

(2)

Контакты

Контакты: Mr. Zhou

Телефон: 86-1360-528-8329

Свяжитесь сейчас

Перешлите нас

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

Name: 1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0
Brand: 1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0
SKU: SPS03NM15T3PH
Rating: 4.9 (188 reviews)

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS03NM15T3PH

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1500В 3А MOSFET дискретный, N-канальные дискретные полупроводниковые модули, Дискритетные полупроводниковые модули 1500 В 3А
                              

Конфигурация:	Одинокий	Непрерывное течение стока (id):	30А
напряжение тока Сток-источника (Vdss):	60 В	Напряжение тока Ворот-источника (VGS):	+/- 20 В
Входная емкость (Ciss):	1900PF	Стил монтажа:	Через дыру
Количество каналов:	Одинокий	Диапазон рабочей температуры:	-55°C к +175°C
Выходная емкость (стоимость):	400pF	Тип упаковки:	TO-220AB
Диссипация силы (Pd):	75W	Rds On (Max) @ Id, Vgs:	8.5 мОм @ 30А, 10В
Капацитат обратной передачи (Crss):	300pF	Полярность транзистора:	N-канал
Наименование продукта:	Дискритетные полупроводниковые модули, Дискритетный полупроводник, Дискритетная полупроводниковая пр

Конфигурация:	Одинокий
Непрерывное течение стока (id):	30А
напряжение тока Сток-источника (Vdss):	60 В
Напряжение тока Ворот-источника (VGS):	+/- 20 В
Входная емкость (Ciss):	1900PF
Стил монтажа:	Через дыру
Количество каналов:	Одинокий
Диапазон рабочей температуры:	-55°C к +175°C
Выходная емкость (стоимость):	400pF
Тип упаковки:	TO-220AB
Диссипация силы (Pd):	75W
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	8.5 мОм @ 30А, 10В
Капацитат обратной передачи (Crss):	300pF
Полярность транзистора:	N-канал
Наименование продукта:	Дискритетные полупроводниковые модули, Дискритетный полупроводник, Дискритетная полупроводниковая пр

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

Сильная мощность DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

1500 В 3А N-канал МОС Дискретно

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 0

Особенности:

Быстрое переключение
Низкое сопротивление
Низкая зарядка шлюза Минимизируйте потерю переключения
Диод быстрого восстановления

Типичный Заявления:

Адаптер
Зарядка

Мощность в режиме ожидания SMPS

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 2

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 3

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 4

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 5

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 6

Это дискретный N-канальный металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) с номинальным напряжением 1500 В и номинальным током 3 А.N-Channel MOSFET - это распространенные полупроводниковые устройства, используемые в различных электронных приложениях1500 В указывает максимальное напряжение, которое устройство может выдержать, а 3 А - максимальный ток, который оно может выдержать.В конкретных примененияхДля обеспечения надежности и производительности MOSFET следует учитывать надлежащую схему привода и рассеивание тепла.

Круговая диаграмма заголовок

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 7

Пакет Очертания

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0 8

Tags:

Модули IGBT 34 мм

Модули IGBT 62 мм

Модули IGBT EconoDual3

Модули IGBT EasyPIM

Модули IGBT EconoPack

Модули IGBT EconoPIM

Автомобильные модули

Гибридные дискретные SiC

Mosfet дискретный

IGBT дискретный

1500В 3А MOSFET Дискритетный N-канал Дискритетные полупроводниковые модули-Твердая мощность-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

1500В 3А MOSFET дискретный

N-канальные дискретные полупроводниковые модули

Дискритетные полупроводниковые модули 1500 В 3А

Дискретные модули полупроводника,

Полупроводник силы дискретный,

N Канал дискретный

Модули IGBT 34 мм

Модули IGBT 62 мм

Модули IGBT EconoDual3

Модули IGBT EasyPIM

Модули IGBT EconoPack

Модули IGBT EconoPIM

Автомобильные модули