Сильная энергия DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

1500В 3A N-канальный MOS дискретный

1500 В 3А MOSFET 

Особенности:

• Быстрое переключение
• Низкое сопротивление
• Низкая зарядка шлюза Минимизируйте потерю переключения
• Диод быстрого восстановления

Типичный Заявления:

• Адаптер
• Зарядка
• Мощность в режиме ожидания SMPS

Нормированный источник оттока на сопротивлении Нормированный источник оттока на сопротивлении

RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1,3A VGS=10V VGS=10V

MOSFET

Перспективная характеристика заряда диодного порта характеристика MOSFET

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

MOSFET

Характеристика мощности MOSFET Максимальное рассеивание мощности

C=f(VDS) PD=f(TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Максимальная пропускная способность в направленной вперед безопасной рабочей зоне (FBSOA)

ID=f(TC)

MOSFET

МОСФЕТ с временной тепловой импеданцией

ZthJC=f (t)

Это дискретный N-канальный металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) с номинальным напряжением 1500 В и номинальным током 3 А.N-Channel MOSFET - это обычно используемые полупроводниковые устройства в различных электронных приложениях1500 В указывает максимальное напряжение, которое может выдержать устройство, в то время как 3 А представляет собой максимальный ток, который он может вместить.В конкретных примененияхДля обеспечения надежности и производительности MOSFET следует учитывать надлежащую схему привода и рассеивание тепла.