Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
продукты
продукты
Домой > продукты > Модули IGBT EconoPIM > 1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Подробная информация о продукции

Фирменное наименование: SPS

Номер модели: SPS75P12M3M4

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена
Выделить:

Модуль PIM IGBT 1200 В

,

Модуль PIM Solid Power IGBT

,

Модуль 75A IGBT PIM

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Солидная мощность DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Модуль PIM 1200V 75A IGBT

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 0

Особенности:
 Технология 1200В Trench+ Field Stop
 Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
 VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом
 Низкие потери при переключении
 Прочность короткого замыкания
 
Типичные применения:
 Двигатели
 Сервоприводы
 

 

IGBT, Инвертор / IGBTИнверторный преобразователь

 

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Коллектор-эмитентнапряжение

 

VCES

 

Tвж= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

 

Я...В

 

TВ=100°C

 

75

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

Я...CRM

 

tp=1 мс

 

150

 

А.

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

 

VГЭС

 

 

± 20

 

V

 

общая потеря мощности

Всего мощность рассеиваетсяОтношение

 

ПВесь

 

TВ= 25°C, Tvj= 175°C

 

380

 

W

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Макс.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Сборник-излучатель saturatiна напряжение

 

VCE(сидел)

 

Я...В=75A,VГЭ=15В

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

1.72

2.04 2.12

 

2.10

 

V

 

极 值电压

Предельный порогнапряжение

 

 

VГЭ ((th)

 

Я...В=2,4mA, VCE=VGE,Tвж= 25°C

 

 

5.2 5.6 6.2

 

V

 

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

 

RГинт

 

Tвж= 25°C

 

6.2

 

Ω

 

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

 

ВИС

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

 

5.24

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Обратный транСферная емкость

 

Врес

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

0.24

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент предел cрента

 

 

Я...CES

 

VCE=1200В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

 

 

1.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

Я...ГЭС

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

td( на)

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

85

95

 

96

 

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

 

tr

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

31

34

 

37

 

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

 

td(отключить)

 

Я...В=75A, VCE=600 В

VГЭ=-15В... +15В

RГон= 1Ω

RГофф.= 1Ω

 

Индуктивный Ло.объявление

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

256

309

 

323

 

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

 

 

tf

 

186

178

 

167

 

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

 

Ена

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

4.34

7.86

8.90

 

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еотключить

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

5.58

6.87

7.06

 

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

 

Я...SC

 

VГЭ= 15 Вт...+15, VCC=800В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 25°C

 

400

 

А.

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

RthJC

 

По IGBT / Каждый. IGBT

 

 

0.39

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь

Максимальная Номинальные значения/ максимум定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1200

 

V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

Я...F

 

 

60

 

 

А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

tp=1 мс

 

120

 

А.

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минус, тип, максимум.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Я...F=60А

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

2.12

1.72 1.64

 

2.50

 

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

 

Я...rm

 

 

 

Я...F=60А

- Да.F/dtотключить=1700A/μs

VR = 600 V

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

64

98

 

107

 

А.

 

Обратная восстановительная нагрузка

Обратно. восстановление chАрги

 

 

Q.РР

 

4.74

10.79

12.65

 

μC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по пульс)

 

ЕРекс

 

1.75

3.87

4.86

 

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

0.62

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

IGBT, Тормозный вертолет/ IGBT∙ ∙ ∙

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Коллектор-эмитентнапряжение

 

VCES

 

 

Tвж= 25°C, Я...В=1mA, VГЭ=0В

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

 

Я...В

 

TВ=100°C, Tvj= 175°C

 

50

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

Я...CRM

 

tp=1 мс

 

100

 

А.

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

 

VГЭС

 

 

±20

 

V

 

общая потеря мощности

Всего мощность рассеиваетсяОтношение

 

ПВесь

 

TВ= 25°C, Tвж= 175°C

 

270

 

W

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Сборник-излучатель saturatiна напряжение

 

VCE(сидел)

 

Я...В=50A,VГЭ=15В

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

2.02

2.52 2.68

 

2.40

 

V

 

极 值电压

Предельный порогнапряжение

 

 

VГЭ ((th)

 

Я...В=1,6mA, VCE=10В, Tвж= 25°C

 

 

5.1 5.7 6.3

 

V

 

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

 

Q.G

 

 

VГЭ=-15В... +15В

 

0.23

 

μC

 

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

 

ВИС

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

 

3.64

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Обратный транСферная емкость

 

Врес

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

0.13

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент предел cрента

 

 

Я...CES

 

VCE=1200В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

 

 

1.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

Я...ГЭС

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

td( на)

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

119

112

 

111

 

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

 

tr

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

38

47

 

49

 

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

 

td(отключить)

 

Я...В=50A, VCE=600 В

VГЭ=-15В... +15В

RГон=40Ω

RГофф.=40Ω

 

Индуктивный Ло.объявление

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

319

358

 

368

 

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

 

 

tf

 

176

257

 

237

 

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

 

Ена

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

4.00

7.00

7.89

 

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еотключить

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

3.13

4.26

4.68

 

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

 

Я...SC

 

VГЭ= 15 Вт...+15, VCC=800В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 25°C

 

155

 

А.

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

RthJC

 

По IGBT / Каждый. IGBT

 

 

0.54

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Диод, Тормозный вертолет/ ∙ ∙ ∙ ∙

Максимальная Номинальные значения/ максимум定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1200

 

V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

Я...F

 

 

30

 

 

А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

tp=1 мс

 

60

 

А.

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Макс.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Я...F=50A

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

2.10

1.71 1.62

 

2.40

 

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

 

Я...РР

 

 

 

Я...F=50A

- Да.F/dtотключить=710A/μs VR = 600 V

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

28

35

 

36

 

А.

 

Обратная восстановительная нагрузка

Обратно. восстановление chАрги

 

 

Q.r

 

1.68

4.85

5.79

 

μC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по пульс)

 

ЕРекс

 

0.47

1.45

1.75

 

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

1.35

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Dйода, Корректировщик/ 二极管,整流

Максимальная Номинальные значения/ максимум定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1800

 

V

 

Максимальный прямоугольный поток(Каждый чип)

Максимальная Прямой ток RMS по чип

 

Я...FRMSM

 

TВ = 80°C

 

70

 

 

А.

 

最大整流器 выход均方根电流

Максимальная Текущий RMS на выпрямитель выходной

 

Я...RMSM

 

TВ = 80°C

 

 

130

 

А.

 

正向浪涌电流

Вперёд.текущий

 

 

Я...ФСМ

 

tp= 10 мс, Tвж=25°С, sin180°

 

840

 

 

А.

 

Я...2Т-

I2t-значение

 

 

Я...2t

 

tp= 10 мс, Tвж=25°C, sin180°

 

 

3528

 

А.2s

 

ХарактерУровни/ 特征值

       

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Tвж= 25°C, Я...F=60А

 

2.12 2.50

 

V

 

Обратный электрический ток

 

Обратный ток

 

Я...R

 

Tвж=125°C, VR=1800В

 

2.0

 

mA

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 1

 

Модуль/

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

 

VИСОЛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

   

 

 

Ку

 

 

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

 

 

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

 

Аль.2О3

 

 

爬电距离

Ужасное.танцевать

   

 

10

 

мм

 

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

   

 

7.5

 

мм

 

Индекс сравнительных электрических следов

СравнительныйОтслеживание индекс

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Символ товараУсловия минимум. Тип максимум.

 

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

 

ЛSCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- чип

 

Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра

 

RCC??+EE TH= 25°C,Каждый ключ/переключатель

 

1.1

 

 

температура хранения

 

ХранилищеПература

 

TСТГ

 

 

-40 125

 

 

°C

 

модуль установки установки крутящего расстояния

Монтажный торчто для модуль монтаж

 

 

М

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Вес

 

Вес

 

G

 

300

 

g

 

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 21200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 3

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 4

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 5

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 6

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 7

1200В 75А IGBT PIM модуль твердой мощности DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 8