Выделить:
Низкие потери переключения Infineon Discrete IGBT
, Модуль транзистора IGBT OEM
, Модуль IGBT с низкими потерями переключения
Пропускная способность коллектора-излучателя: |
170 pF |
Конфигурация: |
Одинокий |
Непрерывный коллектор тока: |
50 А |
Коллектор тока пульсирует: |
200 a |
Обязанность ворот: |
80 н.э. |
Стил монтажа: |
Через дыру |
Диапазон рабочей температуры: |
-55 до 150 градусов по Цельсию |
Тип упаковки: |
TO-247 |
Пакет/случай: |
ТО-247-3 |
Обратное время восстановления: |
50 нс |
Полярность транзистора: |
N-канал |
Максимальное разрыв напряжения в коллекторе: |
1200 В |
Максимальная насыщенность коллектора напряжения: |
2,2 v |
Предельный уровень напряженности: |
5 v |
Наименование продукта: |
Модуль транзистора IGBT, модуль IGBT, транзисторы IGBT |
Низкие потери переключения Infineon дискретный IGBT транзисторный модуль OEM
Сильная энергия DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0
1200 В 40А IGBT Дискретно
1200 В 40 А IGBT
Общий Описание
SOLIDPOWER IGBT Discrete обеспечивает низкие потери переключения, а также высокую способность RBSOA. Они предназначены для таких приложений, как промышленные УПС, зарядные устройства, хранилища энергии,Триуровневый солнечный инвертор, сварка и т.д.
Особенности:
▪ Технология 1200 В Trench Field Stop
▪ Диоды SiC SBD с свободным колесом
▪ Низкие потери при переключении
▪ Низкая плата за вход
Типичный Заявления:
▪ Промышленный УПС
▪ Зарядка
▪ Хранение энергии
▪ Инвертор
▪ Сварка
IGBT IGBT
Характеристика выхода IGBT Характеристика выхода IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Характеристика выхода FRD Насыщенное напряжение коллектора-излучателя IGBT
Если=f (VF) VCE (sat) =f (Tj)
FRD IGBT
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера FRD
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Характеристика выхода FRD Коллектор тока IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Характеристики заряда шлюза Характеристика емкости
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Время перехода IGBT Время перехода IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Время перехода IGBT Время перехода IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Время переключения IGBT Потери переключения IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Потери переключения IGBT Потери переключения IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=175°C
IGBT IGBT
Потери переключения IGBT Потери переключения IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=175°C
IGBT IGBT
Потери переключения IGBT Потери переключения IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Продолжительность сопротивления SOA
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Это дискретный изолированный биполярный транзистор (IGBT) с номинальным напряжением 1200 В и номинальным током 40 А.IGBT обычно используются в силовой электронике для переключения высоких напряжений и токовСпецификации указывают, что этот конкретный IGBT может обрабатывать максимальное напряжение 1200V и максимальный ток 40A.надлежащая схема привода и рассеивание тепла важно для обеспечения надежности и производительности IGBT.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
