Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
продукты
продукты
Домой > продукты > Модули IGBT EconoDual3 > 1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0

Подробная информация о продукции

Фирменное наименование: SPS

Номер модели: SPS450B17D3R8

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена
Выделить:

Модуль полумоста IGBT 1700 В

,

450A IGBT полумостовой модуль

,

Модуль Solid Power IGBT Half Bridge

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0
Сильная энергия DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0
1700V 450A IGBT полумостовой модуль
1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 0
Особенности:
 Технология 1700В Trench+ Field Stop
 Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
 VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом
 Низкие потери при переключении
 Прочность короткого замыкания
 
Типичные применения:
 Двигатели
 Ветряные турбины

 

IGBT, Инвертор/ IGBTИнверторный преобразователь

 

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Коллектор-эмитентнапряжение

 

VCES

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

 

Я...В Nom

 

TВ=100°C, Tvjmax= 175°C

 

450

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

Я...CRM

 

tp=1 мс

 

900

 

А.

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

 

VГЭС

 

 

±20

 

V

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Сборник-излучатель saturatiна напряжение

 

 

VCE(сидел)

 

Я...В= 450A,ВГЭ=15В

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

1.70

1.95 2.00

 

2.00

 

V

V

V

 

极 值电压

Предельный порогнапряжение

 

 

VГЭ ((th)

 

Я...В= 17mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C

 

 

5.1 5.9 6.6

 

 

V

 

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

 

Q.G

 

VГЭ=-15В... +15В

 

 

2.42

 

 

uC

 

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

 

RГинт

 

Tвж= 25°C

 

2.2

 

Ω

 

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

 

ВИС

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

 

37.5

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Обратный трансЖелезная емкость

 

Врес

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=10В, VГЭ=0В

 

0.63

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент отрезание cuарендная плата

 

 

Я...CES

 

VCE=1700В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

 

 

3.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

 

Я...ГЭС

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

td( на)

 

 

 

 

 

 

Я...В=450A, VCE=900В

VГЭ=±15В

RГон=3,3Ω

RГофф.=3,3Ω

 

Индуктивный Лоаd,

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

230

250

 

252

 

n

n

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

 

tr

 

110

130

 

135

 

n

n

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

 

td(отключить)

 

605

735

 

740

 

n

n

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный лоаd

 

 

tf

 

410

670

 

695

 

n

n

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

 

Ена

 

129

181

 

190

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еотключить

 

111

154

 

159

 

mJ

mJ

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

 

Я...SC

 

VГЭ≤ 15 В, ВCC=1000В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C

 

1400

 

А.

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

По IGBT / Каждый. IGBT

 

0.07

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

 

-40150

 

 

°C

 

 

Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

Я...F

 

 

450

 

 

А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

tp=1 мс

 

900

 

А.

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Я...F=450А

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

2.00

2.202.25

 

2.30

 

V

V

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

 

Я...RM

 

 

 

Я...F=450А

- Да.F/dtотключить= 3700A/μs

VR =900 В

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C 370

Tвж=125°C345

 

Tвж= 150°C345

 

А.

А.

А.

 

恢复电荷

Сбор за возврат

 

 

Q.r

 

Tвж= 25°C80

Tвж=125°C 125

 

Tвж= 150°C 125

 

uC

uC

uC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по pржавчина)

 

ЕРекс

 

Tвж= 25°C 43

Tвж=125°C 62

 

Tвж= 150°C 65

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

0.10

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

НТК-термистор / 负温度系数 热敏电阻

Характерные ценности/特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

额定电阻值

Рейтинговый резистанцевать

 

R25

 

TВ= 25°C

 

5.00

 

 

В-

Значение B

 

В.25/50

 

 

3375

 

К

 

 

Модуль/ 模块

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

 

VИСОЛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

   

 

 

Ку

 

 

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

 

 

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

 

Аль.2О3

 

 

爬电距离

Ужасное.танцевать

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

14.5

13.0

 

 

мм

 

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

12.5

10.0

 

 

мм

 

Индекс сравнительных электрических следов

Сравнительное отслеживание индекс

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку.

 

Тип.

 

Макс. Макс.

 

Объекты

 

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

 

ЛSCE

   

 

20

 

 

nH

 

модульное проводное сопротивление,端子- чип

Модуль свинец сопротивление, терминалы - чип

 

RCC+EE

 

TВ= 25°C

 

 

1.10

 

 

 

 

температура хранения

 

ХранилищеПература

 

TСТГ

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Мониторинг крутящего моментаЕе для модуль монтаж

 

М5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接扭矩

Соединение терминалаn крутящего момента

 

M6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Вес

 

Вес

 

G

   

 

345

 

 

g

 

1700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 11700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 21700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 31700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 41700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 51700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 61700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 71700V 450A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S0405G0050 V-1.0 8