1200В 600А IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

IGBT, инвертор/ IGBTНапротив.变器

Максимальные номинальные значения/Максимальная стоимость

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

集电极-发射极电压

Сборщикинапряжение итера

VCES

Tвж= 25°C ,VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Постоянный ток в коллекторе постоянного тока

Я...В Nom

TВ= 105°C, Tvjmax= 175°C

600

А.

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторяющийся коллектор текущий

Я...CRM

tp=1 мс

1200

А.

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный излучатель шлюза vОльга

VГЭС

±20

V

Характерные ценности/ 特征值

Положение

Символ

Условия

Минуточку. Макс.

Объекты

集电极-发射极?? 和电压

Коллектор-эмитент насыщенность напряжение

VCE(сидел)

Я...В=600A,VГЭ=15В

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

1.53

1.71

1.83

V

V

V

极 值电压

Ворота пороговый показатель напряжение

VГЭ ((th)

Я...В= 24mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C

5.5

V

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Сбор за входe

Q.G

VГЭ=-15В... +15В, Я...В=600A, VCE=600В

4.1

uC

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренний резистор шлюза

RГинт

Tвж= 25°C

2

Ω

входящая емкость

Входящая емкость

ВИС

Tвж= 25°C,

76

nF

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллекционер...отключающий ток излучателя

Я...CES

VCE=1200В, VГЭ=0В,

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

极- 发射极漏电流

Выпуск через воротаТр Ток утечки

Я...ГЭС

VCE=0V, VГЭ=±20В, Tвж=125°C

- 150 150

nA

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический чувствительность载)

td(на)

Tвж= 25°C Tвж=125°C

435

488

n

n

Задержка включения время, индуктивная нагрузка

Tвж= 175°C

510

n

Повышение времени( электрический заряд)

Tвж= 25°C

156

n

Время подъема

Tвж=125°C Tвж= 175°C

202

225

n

n

关断延迟时间( электричество负载)

Выключение задержка время, индуктивная нагрузка

td(отключить)

Я...В=600A, VCC =600 В

VГЭ=±15В

RG=0,51Ω

ВGE=0 nF

Индуктивный Лоааа

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 175°C

Tвж= 25°CTвж=125°C Tвж= 175°C

385

417

427

n

n

n

Снижение времени( электрический заряд)

Время падения, индуктивноенагрузка

tf

112

148

176

n

n

n

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый нерв冲)

95

mJ

Потеря энергии при включении на импульс

Ена

140

171

mJ

mJ

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

67

mJ

Потеря энергии при выключении на пульСм

Еотключить

99

115

mJ

mJ

короткий путь данных

SC данные

Я...SC

VГЭ=15В, VCC=900V

VCEM CHIP ≤ 1200V ,Tвж= 175°C

2500

А.

结-外 热阻

Тепловые сопротивлятьсяСтыковка с Дело

RthJC

По IGBT /Каждый.IGBT

0.05

К/В

рабочая температура

Температура под переключением cУсловия

Tвпп

-40150

°C