Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
продукты
продукты
Домой > продукты > Модули IGBT EconoDual3 > 1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

Подробная информация о продукции

Фирменное наименование: SPS

Номер модели: SPS600B17D3

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена
Выделить:

Модуль полумоста IGBT 1700 В

,

Модуль DS-SPS600B17D3-S0405G0051 IGBT Half Bridge

,

600A IGBT полумостовой модуль

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

Солидная мощность DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

1700V 600A IGBT полумостовой модуль

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 0

Особенности:
 Технология 1700В Trench+ Field Stop
 Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
 VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом
 Низкие потери при переключении
 Прочность короткого замыкания
 
Типичные применения:
 Двигатели
 Сервоприводы
 Системы UPS
 Конверторы солнечной энергии/хранилища энергии
 Ветряные турбины
 

 

IGBT, Инвертор/ IGBTИнверторный преобразователь

 

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Коллектор-эмитентнапряжение

 

VCES

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

 

Я...В Nom

 

TВ=100°C, Tvjmax= 175°C

 

600

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

Я...CRM

 

tp=1 мс

 

1200

 

А.

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

 

VГЭС

 

 

±20

 

V

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минус, тип, максимум.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Сборник-излучатель saturatiна напряжение

 

 

VCE(сидел)

 

Я...В=600A,VГЭ=15В

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

1.60

1.85 1.90

 

1.90

 

V

V

V

 

极 值电压

Предельный порогнапряжение

 

VГЭ(Второй)

 

Я...В=18mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C

 

 

5.05.8 6.5

 

 

V

 

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

 

Q.G

 

VГЭ=-15В... +15В

 

 

4.66

 

 

uC

 

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

 

RГинт

 

Tвж= 25°C

 

1.7

 

Ω

 

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

 

ВИС

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

 

49.5

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Обратный трансЖелезная емкость

 

Врес

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=10В, VГЭ=0В

 

0.75

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент отрезание cuарендная плата

 

 

Я...CES

 

VCE=1700В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

 

 

3.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

 

Я...ГЭС

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

 

600

 

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

td( на)

 

 

 

 

 

 

Я...В=600A, VCE=900В

VГЭ=±15В

RГон= 1Ω

RГофф.= 1Ω

 

Индуктивный Лоаd,

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

145

170

 

175

 

n

n

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

 

tr

 

90

105

 

110

 

n

n

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

 

td(отключить)

 

590

700

 

720

 

n

n

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный лоаd

 

 

tf

 

370

600

 

650

 

n

n

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

 

Ена

 

79.6

135.1

153.6

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еотключить

 

144.3

201.7

212.5

 

mJ

mJ

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

 

Я...SC

 

VГЭ≤ 15 В, ВCC=1000В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C

 

1900

 

А.

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

По IGBT / Каждый. IGBT

 

0.05

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

 

-40 150

 

 

°C

 

 

Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

Я...F

 

 

600

 

 

А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

tp=1 мс

 

1200

 

А.

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минус, тип, максимум.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Я...F=600A

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

2.20

2.402.40

 

2.50

 

V

V

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

 

Я...RM

 

 

 

Я...F=600A

- Да.F/dtотключить=7000A/μs

VR =900 В

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C800

Tвж=125°C 920

 

Tвж= 150°C 950

 

А.

А.

А.

 

恢复电荷

Сбор за возврат

 

 

Q.r

 

Tвж= 25°C 153

Tвж=125°C 237

 

Tвж= 150°C 260

 

uC

uC

uC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по pржавчина)

 

ЕРекс

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

79.5

153.3

166.7

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

0.09

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

НТК-термистор / 负温度系数 热敏电阻

Характерные ценности/特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

额定电阻值

Рейтинговый резистанцевать

 

R25

 

TВ= 25°C

 

5.00

 

 

В-

Значение B

 

В.25/50

 

 

3375

 

К

 

 

Модуль/ 模块

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

 

VИСОЛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

   

 

 

Ку

 

 

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

 

 

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

 

Аль.2О3

 

 

爬电距离

Ужасное.танцевать

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

14.5

13.0

 

 

мм

 

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

12.5

10.0

 

 

мм

 

Индекс сравнительных электрических следов

Сравнительное отслеживание индекс

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку.

 

Тип.

 

Макс. Макс.

 

Объекты

 

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

 

ЛSCE

   

 

20

 

 

nH

 

модульное проводное сопротивление,端子- чип

Модуль свинец сопротивление, терминалы - чип

 

RCC+EE

 

TВ= 25°C

 

 

1.10

 

 

 

 

температура хранения

 

ХранилищеПература

 

TСТГ

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Мониторинг крутящего моментаЕе для модуль монтаж

 

М5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接扭矩

Соединение терминалаn крутящего момента

 

M6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Вес

 

Вес

 

G

   

 

345

 

 

g

 

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 1

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 2

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 3

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 4

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 5

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 6