Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
продукты
продукты
Домой > продукты > Модули IGBT 34 мм > 75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS150B17G3

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена
Выделить:

IGBT полумостовой модуль

,

Модуль полумоста IGBT 1200 В

,

75A Модуль полумоста

Течение сборника:
200А
Напряжение тока коллектор- эмиттера:
±1200V
Текущий:
200А
Обязанность ворот:
100 н.с.
напряжение тока Ворот-излучателя:
± 20 В
Размер модуля:
34 мм
Тип модуля:
IGBT
Стил монтажа:
Пошёл на хуй.
Диапазон рабочей температуры:
-40°C к +150°C
Тип упаковки:
Модуль
Распределение власти:
500 Вт
частота переключения:
20 кГц
Термостойкость:
0.1°C/W
Напряжение:
1200 В
Течение сборника:
200А
Напряжение тока коллектор- эмиттера:
±1200V
Текущий:
200А
Обязанность ворот:
100 н.с.
напряжение тока Ворот-излучателя:
± 20 В
Размер модуля:
34 мм
Тип модуля:
IGBT
Стил монтажа:
Пошёл на хуй.
Диапазон рабочей температуры:
-40°C к +150°C
Тип упаковки:
Модуль
Распределение власти:
500 Вт
частота переключения:
20 кГц
Термостойкость:
0.1°C/W
Напряжение:
1200 В
75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005

Продукция, содержащая твердую энергию, DS-SPS150B17G3-S04010005

 

1200 В 75А IGBT Половина Мост Модуль

 

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005 0

 

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005 1

 

Особенности:
 Структура 1700В траншеи и полевой остановки
 Высокая способность к короткому замыканию
 Низкая потеря переключения
 Высокая надежность
 Положительный коэффициент температуры

 

Типичные применения:
 Двигатели
 Сервоприводы
 Инвертор и источники питания
 фотоэлектрическая

 

IGBT, Инвертор

Максимальная Номинальные значения

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Напряжение коллектора-излучателя

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC ток коллектора

 

IC

 

 

150

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

ICRM

 

tp=1 мс

 

300

 

А.

 

общая потеря мощности

Всего мощность рассеивание

 

Ptot

 

ТК= 25°C, Tvj=175°C

 

880

 

W

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальное напряжение порта-излучателя

 

VGES

 

 

± 20

 

V

 

Максимальная температура

Максимальная температура соединения

 

Телевидение, максимум.

 

 

175

 

°C

 

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минус, тип, максимум.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Напряжение насыщения коллектора-излучателя

 

VCE(сидел)

 

IC= 150A,VGE=15В

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

 

1.67

1.90 1.96

 

1.90

 

V

V

V

 

极 值电压

Пороговое напряжение

 

VGE ((th)

 

IC= 17mA, VCE=VГЭ, Tvj=25°C

 

5.0 6.0 6.8

 

V

 

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

 

Главное управление

 

VGE=-15V...+15V

 

 

0.86

 

 

uC

 

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

 

 

RGint

 

 

Tvj=25°C

 

 

7.2

 

Ω

 

входящая емкость

Входящая емкость

 

Сие

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25В, VGE=0V

 

 

12.6

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Возвратная емкость передачи

 

Крес

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10В, VGE=0V

 

0.20

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент отключающий ток

 

ICES

 

VCE=1700В, VГЭ=0V, Tвж= 25°C

 

 

3.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

IGES

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tvj=25°C

 

400

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

Тд(на)

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

 

326

339

 

345

 

n

n

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

 

Тр

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

 

106

118

 

126

 

n

n

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Время задержки отключения; индуктивный нагрузка

 

 

Тд(отключить)

 

IC=150A, VCE=900В

VGE=±15В

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

 

Индуктивный Загрузка,

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tvj=125°C

 

Tvj=150°C

 

165

189

 

213

 

n

n

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

 

 

Тф

 

757

924

 

950

 

n

n

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пульс

 

Эон

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

 

47.1

58.9

63.7

 

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еоф

 

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

 

31.2

39.9

42.5

 

 

mJ

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

 

МКК

 

VGE≤ 15 В, ВCC=1000В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

 

600

 

А.

 

 

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

По IGBT / Каждый.IGBT

 

0.17

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Диод, инвертор/ 二极管, обратный переменчик

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

VRRM

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

Я...F

 

 

150

 

А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

tp=1 мс

 

300

 

А.

 

 

Характерные ценности/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

 

Объекты

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

VF

 

 

Я...F=150А

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

1.92

2.112.09

 

2.30

 

V

V

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

 

Я...RM

 

 

 

Я...F=150А

- Да.F/dtотключить=2000A/μs

VR =900 В

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C98

Tвж=125°C 119

 

Tвж= 150°C 119

 

А.

А.

А.

 

恢复电荷

Сбор за возврат

 

 

Q.r

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

21.4

36.7

42.0

 

uC

uC

uC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по pржавчина)

 

ЕРекс

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

10.6

19.5

21.9

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, jПомазание Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

0.30

 

К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Модуль/ 模块

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

 

VИСОЛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

   

 

 

Ку

 

 

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

 

 

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

 

Аль.2О3

 

 

爬电距离

Кри расстояние страницы

 

 

端子-散热片/ терминал к hсъешь раковину

端子-端子/терминал к терминеральный

 

17.0

20.0

 

 

мм

 

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

 

 

端子-散热片/ терминал к hсъешь раковину

端子-端子/терминал к терминеральный

 

17.0

9.5

 

 

мм

 

Индекс сравнительных электрических следов

Сравнительное отслеживание индекс

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку.

 

Тип.

 

Макс. Макс.

 

Объекты

 

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

 

ЛSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻,端子 模块引脚电阻,端子- чип

 

Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра

 

RCC??+EE

RАА+CC

   

 

0.65

 

 

 

температура хранения

 

ХранилищеПература

 

TСТГ

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

модуль установки установки крутящего расстояния

Мониторинг крутящего моментаЕе для модуль монтаж

 

 

М

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

модуль установки установки крутящего расстояния

Мониторинг крутящего моментаЕе для модуль монтаж

 

М

 

М5

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Вес

Вес

 

G

   

 

160

 

 

g

 

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005 2

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005 3

75A 1200V IGBT полумостовой модуль твердой мощности DS-SPS150B17G3-S04010005 4