Подробная информация о продукции
Номер модели: SPS75B17G3
Условия оплаты и доставки
Солидная мощность DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.
1700 В 75A IGBT Половина Мост Модуль
Особенности:
Типичный Заявления:
IGBT, инвертор / IGBT, обратный преобразователь
Максимальные номинальные значения / максимальная предельная стоимость
Положение |
Символ |
Условия |
Стоимость |
Объекты |
||
集电极-发射极电压 Выпущенные коллекторомr напряжение |
VCES |
Tвж= 25°C |
1700 |
V |
||
连续集电极直流电流 Непрерывный DC сборниктока |
Я...В Nom |
75 |
А. |
|||
集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 Пик повторятьи ток коллектора |
Я...CRM |
tp=1 мс |
150 |
А. |
||
общая потеря мощности Всего мощность рассеиваетсяОтношение |
ПВесь |
TВ= 25°C,Tvjmax= 175°C |
535 |
W |
||
Сверхвысокая напряженность. Максимальный проходнапряжение электрического излучателя |
VГЭС |
±20 |
V |
|||
Максимальная температура Максимальное соединениеn температуры |
Tvjmax |
175 |
°C |
|||
ХарактерУровни/ 特征值 |
||||||
Положение |
Символ |
Условия |
Минус, тип, максимум. |
Объекты |
||
集电极-发射极 和电压 Коллектор-эмитент снапряжение атурации |
VCE(сидел) |
Я...В=75,ВГЭ=15В |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V V V |
极 值电压 Предельный порогнапряжение |
VГЭ ((th) |
Я...В=3mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V |
||
¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ Ворота зарядка |
Q.G |
VГЭ=-15В... +15В |
0.47 |
uC |
||
Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление Внутренние ворота резистор |
RГинт |
Tвж= 25°C |
10.8 |
Ω |
||
входящая емкость Предельный объем вводаацитанция |
ВИС |
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В |
5.03 |
nF |
||
Возвращенная емкость передачи Обратный транСферная емкость |
Врес |
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=10В, VГЭ=0В |
0.18 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока Коллектор-эмитент вырезатьff тока |
Я...CES |
VCE=1700В, VГЭ=0V, Tвж=25°C |
3.00 |
mA |
||
?? 极- ь ь ь ь ь ь ь Излучатель ворот утечка текущий |
Я...ГЭС |
VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд) Включение время задержки, индуктивный нагрузка |
td(на) |
Я...В=75A, VCE=900 В VГЭ=±15В RГон= 6,6Ω RГофф.= 6,6Ω
Индуктивный Лоаd, |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
174 184
188 |
n n n |
|
Повышение времени( электрический заряд) Время встать. индуктивный нагрузка |
tr |
80 83
81 |
n n n |
|||
关断延迟时间( электрический заряд) Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка |
td(отключить) |
319 380
401 |
n n n |
|||
Снижение времени( электрический заряд) Осень. индуктивный нагрузка |
tf |
310 562
596 |
n n n |
|||
开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс) Включение энергии потеря по пу- Ясно. |
Ена |
24.7 27.6 28.4 |
mJ mJ |
|||
关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс) Энергия отключения потеря по пульс |
Еотключить |
10.9 16.1 17.5 |
mJ mJ |
|||
короткий путь данных SC данные |
Я...SC |
VГЭ≤ 15 В, ВCC=1000В VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C |
240 |
А. |
结-外 热阻 Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело |
RthJC |
По IGBT / Каждый.IGBT |
0.28 К/В |
|||
рабочая температура Температура иПереход условия |
Tвпп |
-40 150 °C |
||||
Диод, инвертор/ 二极管, обратный переменчик Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值 |
||||||
Положение |
Символ |
Условия |
Стоимость Объекты |
|||
Возвращение к пиковому напряжению Пик повторяющийся обратное напряжениеe |
VRRM |
Tвж= 25°C |
1700 V |
|||
непрерывный прямопоточный электрический ток Непрерывный DC дляТекущее соединение |
Я...F |
75 А. |
||||
正向重复峰值 электрический поток Пик повторяющийся переходный ток |
Я...ФРМ |
tp=1 мс |
150 А |
|||
ХарактерУровни/ 特征值 |
||||||
Положение |
Символ |
Условия |
Минуточку. Тип. Макс. |
|||
Прямое электрическое давление Напряжение вперед |
VF |
Я...F=75A |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V V V |
В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение
Пик задним ходом восстановление cрента |
Я...RM |
Я...F=75A - Да.F/dtотключить=1100A/μs VR =900 В
VГЭ=-15В |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
85 101
108 |
А. А. А. |
|
恢复电荷 Сбор за возврат |
Q.r |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
||
Возвратные потери восстановления Обратно. восстановление энергии (по пульс) |
ЕРекс |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
11.8 17.8 19.6 |
mJ mJ mJ |
||
结-外 热阻 Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело |
RthJC |
На диод/ Каждый из них |
0.48 К/В |
|||
рабочая температура Температура иПереход условия |
Tвпп |
-40 150 °C |
модуль / 模块
Положение |
Символ |
Условия |
Стоимость |
Единица с |
绝缘测试电压 Изоляцияиспытательное напряжение |
VИСОЛ |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
kV |
模块基板材料 Материал модуль основополагающая |
Ку |
|||
Внутренняя изоляция Внутренние изоляция |
基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140) Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140) |
Аль.2О3 |
||
爬电距离 Ужасное.танцевать |
端子-散热片/ терминал to нагреватель 端子-端子/терминал к терминеральный |
17
20 |
мм |
|
电气间隙 (электрический промежуток) Разрешение |
端子-散热片/ терминал to нагреватель 端子-端子/терминал к терминеральный |
17 9.5 |
мм |
|
Индекс сравнительных электрических следов Сравнительное отслеживание индекс |
CTI |
> 200 |
Положение |
Символ |
Условия |
Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
Объекты |
杂散电感, модуль Неприкосновенный индуктивность модуль |
ЛSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子 (модуль, проводящий электрический барьер, 端子)- чип
Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра |
RCC+EE RАА+СС |
0.65 |
mΩ |
|||
температура хранения
ХранилищеПература |
TСТГ |
-40 |
125 |
°C |
||
модуль установки установки крутящего расстояния Монтажный торчто для модуль монтаж |
М |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
端子联接扭距 Соединение терминалаn крутящего момента |
М |
М5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
Вес
Вес |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный) Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Характеристика передачи IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Потери переключения IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)
E=f (RG) E=f ((IC)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Убытки переключения IGBT, инвертор (типичный) Периодическая тепловая импеданс IGBT, инвертор
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V
IGBT, RBSOA
Область безопасной работы с обратным уклоном IGBT, инвертор (RBSOA) Перспективная характеристика диода, инвертора (типичный)
Я...В=f(VCE)Я...F=f(VF)
VГЭ=±15В, RГофф.=6,6Ω, Tvj=150°C
Потери переключения Диод, инвертор (типичный) Потери переключения Диод, инвертор (типичный)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V
Проходный тепловой импиданс Диод, инвертор
ZthJC=f (t)
"1700V IGBT" - это изолированный биполярный транзистор, способный обрабатывать максимальное напряжение 1700 вольт. Он используется в приложениях, требующих управления более высокими уровнями напряжения,такие как высокомощные инверторыДля оптимальной производительности необходимы правильные схемы охлаждения и привода ворот.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания