Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
продукты
продукты
Домой > продукты > Модули IGBT 34 мм > Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS75B17G3

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена
Выделить:

Модуль IGBT моста 75A H

,

Модуль IGBT моста 1700 В

,

Модуль IGBT 1700 В

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Солидная мощность DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700 В 75A IGBT Половина Мост Модуль

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Особенности:

  • Структура 1700V Trench Gate & Field Stop
  • Высокая способность к короткому замыканию
  • Низкая потеря переключения
  • Высокая надежность
  • Положительный коэффициент температуры

 

 

Типичный Заявления:

  • Двигатели
  • Сервоприводы
  • Инвертор и источники питания
  • Фотоэлектрическая

 

IGBT, инвертор / IGBT, обратный преобразователь

Максимальные номинальные значения / максимальная предельная стоимость

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Объекты

 

集电极-发射极电压

Выпущенные коллекторомr напряжение

 

VCES

 

Tвж= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

 

Я...В Nom

 

 

75

 

 

А.

 

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

 

Я...CRM

 

tp=1 мс

 

150

 

А.

 

общая потеря мощности

Всего мощность рассеиваетсяОтношение

 

ПВесь

 

TВ= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

 

VГЭС

 

 

±20

 

V

 

Максимальная температура

Максимальное соединениеn температуры

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минус, тип, максимум.

 

Объекты

 

集电极-发射极 和电压

Коллектор-эмитент снапряжение атурации

 

VCE(сидел)

 

Я...В=75,ВГЭ=15В

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值电压

Предельный порогнапряжение

 

VГЭ ((th)

 

Я...В=3mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

 

 

Q.G

 

VГЭ=-15В... +15В

 

0.47

 

uC

 

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

 

RГинт

 

Tвж= 25°C

 

10.8

 

Ω

 

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

 

 

ВИС

 

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

 

5.03

 

nF

 

Возвращенная емкость передачи

Обратный транСферная емкость

 

Врес

 

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=10В, VГЭ=0В

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент вырезатьff тока

 

Я...CES

 

VCE=1700В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

 

3.00

 

mA

 

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

 

Я...ГЭС

 

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

 

 

td(на)

 

 

 

 

 

 

 

Я...В=75A, VCE=900 В

VГЭ=±15В

RГон= 6,6Ω

RГофф.= 6,6Ω

 

Индуктивный Лоаd,

 

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

 

174

184

 

188

 

n

n

n

 

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

 

tr

 

80

83

 

81

 

n

n

n

 

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

 

td(отключить)

 

319

380

 

401

 

n

n

n

 

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

 

tf

 

310

562

 

596

 

n

n

n

 

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

 

 

Ена

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

 

Еотключить

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

короткий путь данных

SC данные

 

Я...SC

 

VГЭ≤ 15 В, ВCC=1000В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C

 

 

240

 

А.

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

 

RthJC

 

 

По IGBT / Каждый.IGBT

 

 

0.28 К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

Tвпп

 

 

-40 150 °C

 

Диод, инвертор/ 二极管, обратный переменчик

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость Объекты

 

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

 

 

VRRM

 

 

Tвж= 25°C

 

1700 V

 

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

 

 

Я...F

 

 

75 А.

 

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

 

Я...ФРМ

 

 

tp=1 мс

 

150 А

 

ХарактерУровни/ 特征值

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку. Тип. Макс.

 

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

 

 

VF

 

Я...F=75A

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

 

Пик задним ходом восстановление cрента

 

Я...RM

 

 

Я...F=75A

- Да.F/dtотключить=1100A/μs

VR =900 В

 

VГЭ=-15В

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

85

101

 

108

 

А.

А.

А.

 

恢复电荷

Сбор за возврат

 

Q.r

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по пульс)

 

ЕРекс

 

Tвж= 25°C

Tвж=125°C

Tвж= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

 

RthJC

 

На диод/ Каждый из них

 

0.48 К/В

 

рабочая температура

Температура иПереход условия

 

 

Tвпп

 

 

 

-40 150 °C

 

 

модуль / 模块

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Стоимость

 

Единица

с

 

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

 

VИСОЛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

   

 

Ку

 

 

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

 

 

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

 

Аль.2О3

 

 

爬电距离

Ужасное.танцевать

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

17

 

20

 

 

мм

 

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

 

 

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

 

17

9.5

 

 

мм

 

Индекс сравнительных электрических следов

Сравнительное отслеживание индекс

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Положение

 

Символ

 

Условия

 

Минуточку.

 

Тип.

 

Макс. Макс.

 

Объекты

 

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

 

ЛSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 (модуль, проводящий электрический барьер, 端子)- чип

 

Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра

 

RCC+EE

RАА+СС

   

 

 

0.65

 

 

 

 

температура хранения

 

ХранилищеПература

 

TСТГ

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

модуль установки установки крутящего расстояния

Монтажный торчто для модуль монтаж

 

 

М

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接扭距

Соединение терминалаn крутящего момента

 

М

 

М5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Вес

 

Вес

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный) Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Характеристика передачи IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Потери переключения IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Убытки переключения IGBT, инвертор (типичный) Периодическая тепловая импеданс IGBT, инвертор

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Область безопасной работы с обратным уклоном IGBT, инвертор (RBSOA) Перспективная характеристика диода, инвертора (типичный)

Я...В=f(VCE)Я...F=f(VF)

VГЭ=±15В, RГофф.=6,6Ω, Tvj=150°C

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Потери переключения Диод, инвертор (типичный) Потери переключения Диод, инвертор (типичный)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Проходный тепловой импиданс Диод, инвертор

ZthJC=f (t)

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

"1700V IGBT" - это изолированный биполярный транзистор, способный обрабатывать максимальное напряжение 1700 вольт. Он используется в приложениях, требующих управления более высокими уровнями напряжения,такие как высокомощные инверторыДля оптимальной производительности необходимы правильные схемы охлаждения и привода ворот.

 

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Круговая диаграмма заголовок 

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Пакет Очертания 

 

Модуль IGBT моста 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10