продукты

Домой > продукты > Модули IGBT 34 мм > Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Категории

IGBT дискретный

(2)

Контакты

Контакты: Mr. Zhou

Телефон: 86-1360-528-8329

Свяжитесь сейчас

Перешлите нас

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 4.8 (156 reviews)

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS100B17G3R8

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Модули IGBT для автомобилей на заказ, Автомобильные модули IGBT 34 мм, Модули на заказ 34 мм
                              

Конфигурация:	Инвертор 3 участков	Настоящий - сборник (Ic) (Макс):	200А
Настоящий - выключение сборника (Макс):	1 мА	Обязанность ворот:	100 н.с.
Тип ввода:	Стандартный	Тип установки:	Подвеска на шасси
Операционная температура:	-40°C ~ 150°C	Пакет / чемодан:	Модуль 34 мм
Тип упаковки:	Модуль	Мощность - Макс:	1.2КВт
Время обратного восстановления (trr):	100ns	Переключая энергия:	1.2 мДж
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):	600 В	Напряжение - насыщение коллектора (макс.):	1.8В

Конфигурация:	Инвертор 3 участков
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):	200А
Настоящий - выключение сборника (Макс):	1 мА
Обязанность ворот:	100 н.с.
Тип ввода:	Стандартный
Тип установки:	Подвеска на шасси
Операционная температура:	-40°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:	Модуль 34 мм
Тип упаковки:	Модуль
Мощность - Макс:	1.2КВт
Время обратного восстановления (trr):	100ns
Переключая энергия:	1.2 мДж
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):	600 В
Напряжение - насыщение коллектора (макс.):	1.8В

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Солидная мощность DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

1700 В 100А IGBT Половина Мост Модуль

1700 В 100А IGBT

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Особенности:

□ Технология 1700В Trench+ Field Stop

□ Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией

□ V_{CE ((sat)}с положительным температурным коэффициентом

□ Низкие потери при переключении

Типичный Применение:

□ Двигатели/сервоприводы

□ Преобразователи высокой мощности

□ UPS

□ Фотоэлектрическая энергия

Пакет

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Испытательное напряжение изоляции	ВИЗОЛ	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Материал основной платы модуля				Ку
Внутренняя изоляция		(класс 1, IEC 61140) Основная изоляция (класс 1, IEC 61140)		Аль.₂О₃
Расстояние ползания	ДРЕПП	Терминал к теплоотводу		17.0			мм
	ДРЕПП	терминал к терминалу		20.0
Разрешение	Да, ясно.	Терминал к теплоотводу		17.0			мм
	Да, ясно.	терминал к терминалу		9.5
Сравнительный индекс отслеживания	CTI			> 200

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Модуль блуждающей индуктивности	LsCE				20		nH
Модульное сопротивление свинцу, терминалы - чип	RCC+EE		T_В= 25°C		0.65		mΩ
Температура хранения	Tstg			-40		125	°C
Момент установки для установки модуля	M6			3.0		5.0	Nm
Крутящий момент терминального соединения	М5			2.5		5.0	Nm
Вес	G				160		g

IGBT

Максимальная Рейтинговый Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Напряжение коллектора-излучателя	VCES		T_вж= 25°C	1700	V
Максимальное напряжение порта-излучателя	VGES			± 20	V
Переходное напряжение порта-излучателя	VGES	t_p≤ 10μs, D=0.01		± 30	V
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока	Я..._В		T_В= 25°C	180	А.
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока	Я..._В		T_В=100°C	100	А.
Импульсный ток коллектора,tp ограничен T_jmax	ICpulse			200	А.
Рассеивание энергии	Ptot			535	W

Характеристика Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Положение	Символ	Условия		Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.	Единица
Напряжение насыщения коллектора-излучателя	VCE ((sat)	Я..._В=100A, V_ГЭ=15В	T_вж= 25°C		1.65	1.95	V
			T_вж=125°C		1.90
			T_вж= 150°C		1.92
Пороговое напряжение	VGE ((th)	V_CE=V_ГЭЯ..._В=4mA		5.0	5.8	6.5	V
Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	V_CE=1700В, V_ГЭ=0В	T_вж= 25°C			100	μA
Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	V_CE=1700В, V_ГЭ=0В	T_вж= 150°C			5	mA
Ток утечки от порта-излучателя	IGES	V_CE=0V,V_ГЭ=±20В, T_вж= 25°C		-200.		200	nA
Сбор за вход	Q._G	V_CE= 900 В, I_В= 75A, V_ГЭ=±15В			0.6		μC
Вводная емкость	Сие	V_CE=25В, V_ГЭ=0V, f =100kHz			9.00		nF
Выходная емкость	Коэ				0.58
Капацитет обратной передачи	Крес				0.14
Внутренний резистор шлюза	RGint	T_вж= 25°C			9		Ω
Время задержки включения, индуктивная нагрузка	Включено	V_CC= 900 В,I_В=100A R_G= 5,1Ω, V_ГЭ=±15В	T_вж= 25°C		194		n
			T_вж=125°C		218		n
			T_вж= 150°C		222		n
Время подъема, индуктивная нагрузка	t_r		T_вж= 25°C		48		n
			T_вж=125°C		60		n
			T_вж= 150°C		66		n
Время задержки отключения, индуктивная нагрузка	Тд ((отключено)	V_CC= 900 В,I_В=100A R_G= 5,1Ω, V_ГЭ=±15В	T_вж= 25°C		322		n
			T_вж=125°C		494		n
			T_вж= 150°C		518		n
Время падения, индуктивная нагрузка	t_f		T_вж= 25°C		500		n
			T_вж=125°C		676		n
			T_вж= 150°C		740		n
Потеря энергии при включении на импульс	Эон	V_CC= 900 В,I_В=100A R_G= 5,1Ω, V_ГЭ=±15В	T_вж= 25°C		20.1		mJ
			T_вж=125°C		33.4		mJ
			T_вж= 150°C		36.8		mJ
Выключить потерю энергии на импульс	Еоф		T_вж= 25°C		20.7		mJ
			T_вж=125°C		30.6		mJ
			T_вж= 150°C		32.8		mJ
Данные SC	МКК	V_ГЭ≤ 15 В, В_CC=900В	tp≤10μs T_вж= 150°C			360	А.
Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения	RthJC					0.28	К / В
Операционная температура	TJop			-40		175	°C

Диод

Максимальная Рейтинговый Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Повторяющееся обратное напряжение	VRRM		T_вж= 25°C	1700	V
Постоянный постоянный ток вперед	Я..._F		T_В= 25°C	140	А.
Постоянный постоянный ток вперед	Я..._F		T_В=100°C	100
Диодный импульсный ток,tp ограниченный T_Jmax	IFpulse			200

Характеристика Ценности

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Напряжение вперед	V_F	Я..._F= 100A, V_ГЭ=0В	T_вж= 25°C		2.00	2.40	V
			T_вж=125°C		2.15
			T_вж= 150°C		2.20
Время обратного восстановления	trr	Я..._F=100А ДИ_F/dt=-2100A/μs (T)_вж=150°C) V_R= 900 В, V_ГЭ=-15В	T_вж= 25°C		120		n
			T_вж=125°C		180
			T_вж= 150°C		200
Пиковый обратный рекуперативный ток	IRRM		T_вж= 25°C		193		А.
			T_вж=125°C		216
			T_вж= 150°C		218
Сбор за возврат средств	QRR		T_вж= 25°C		20		μC
			T_вж=125°C		40
			T_вж= 150°C		47
Потери энергии обратной рекуперации на импульс	Эрек		T_вж= 25°C		4.9		mJ
			T_вж=125°C		21.2
			T_вж= 150°C		24.1
Тепловое сопротивление диодов, корпус соединения	RthJCD					0.40	К / В
Операционная температура	TJop			-40		175	°C

Выпуск характеристика (типичная) Выпуск характерный (типичный)

Я..._В= f (V_CE) I_В= f (V_CE) Т_вж= 150°C

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 5

Перевод Характерный (типичный) Переход убытки IGBT(типичный)

Я..._В= f (V_ГЭ) E = f (R_G)

V_CE= 20ВВ_ГЭ= ±15В, I_В= 100A, V_CE= 900 В

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 6

IGBT RBSOA

Переход убытки IGBT(типичный) Обратно предвзятость безопасно работающий Площадь (RBSOA)

E = f (I_В) I_В=f (V)_CE)

V_ГЭ= ±15В, R_G= 5.1Ω, V_CE= 900В В_ГЭ= ±15В, R_Гоф= 5,1Ω, T_вж= 150°C

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 7

Типичный емкость как а) Функция из коллектор-эмитент напряжение (типичный)

C = f (V)_CE) V_ГЭ= f (Q_G)

f = 100 кГц, V_ГЭ= 0V I_В= 100A, V_CE= 900 В

IGBT

IGBT преходящий тепловая Импедантность как а) Функция пульса ширина Вперед характеристика из Диод (типичный)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 9

Потери при переключении Диод (типичный)Потери диоды (типичные)

Е_Рекс= f (R_G) E_Рекс= f (I_F)

Я..._F= 100A, V_CE= 900В R_G= 5,1Ω, V_CE= 900 В

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 10

Диод преходящий тепловая Импедантность как а) Функция из пульс ширина

Zth(j-c) = f (t)

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 11

"1700V 100A IGBT Half Bridge Module" объединяет два IGBT в конфигурации полумоста, подходящего для приложений, требующих умеренной мощности.Он обеспечивает точное управление напряжением (1700V) и током (100A)Подробные спецификации можно найти в листе данных производителя.

Круговая диаграмма заголовок

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 12

Пакет Очертания

Модули IGBT 34 мм DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 13

Размеры в мм

мм

Tags: