Подробная информация о продукции
Номер модели: SPS450B12G6H4
Условия оплаты и доставки
Течение сборника: |
100А |
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: |
1.8В |
Напряжение тока коллектор- эмиттера: |
±1200V |
Текущий: |
100А |
Обязанность ворот: |
150nC |
напряжение тока порога Ворот-излучателя: |
4V |
напряжение тока Ворот-излучателя: |
± 20 В |
Входная емкость: |
1.5nF |
Емкость выхода: |
0.5nF |
Сила: |
1500 Вт |
Обратное время восстановления: |
100ns |
частота переключения: |
20 кГц |
Термостойкость: |
0.1°C/W |
Напряжение: |
1200 В |
Течение сборника: |
100А |
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: |
1.8В |
Напряжение тока коллектор- эмиттера: |
±1200V |
Текущий: |
100А |
Обязанность ворот: |
150nC |
напряжение тока порога Ворот-излучателя: |
4V |
напряжение тока Ворот-излучателя: |
± 20 В |
Входная емкость: |
1.5nF |
Емкость выхода: |
0.5nF |
Сила: |
1500 Вт |
Обратное время восстановления: |
100ns |
частота переключения: |
20 кГц |
Термостойкость: |
0.1°C/W |
Напряжение: |
1200 В |
Солидная мощность DS-SPS450B12G6H4-S04020010 V2.0
Особенности:
Типичный Заявления:
IGBT, Инвертор / IGBTИнверторный преобразователь
Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма值 |
|||||||
Положение |
Символ |
Условия |
Стоимость |
Объекты |
|||
集电极-发射极电压 Коллектор-эмитентнапряжение |
VCES |
Tвж= 25°C |
1200 |
V |
|||
连续集电极直流电流 Непрерывный DC сборниктока |
Я...В |
TВ = 80°C, Tвж максимум= 175°В TВ = 25°C, Tвж максимум= 175°С |
450
550 |
А. |
|||
集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 Пик повторятьи ток коллектора |
Я...CRM |
tp=1 мс |
900 |
А. |
|||
общая потеря мощности Всего мощность рассеиваетсяОтношение |
ПВесь |
TВ= 25°C, Tvj= 175°C |
2142 |
W |
|||
Сверхвысокая напряженность. Максимальный проходнапряжение электрического излучателя |
VГЭС |
±20 |
V |
||||
Максимальная температура Максимальное соединениеn температуры |
Tvj,max |
175 |
°C |
||||
ХарактерУровни/ 特征值 |
|||||||
Положение |
Символ |
Условия |
Минуточку. Тип. Макс. |
Объекты |
|||
集电极-发射极 和电压 Сборник-излучатель saturatiна напряжение |
VCE(сидел) |
Я...В= 450A,ВГЭ=15В |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
2.10 |
2.50 2.90 3.00 |
3.00 |
V |
极 值电压 Предельный порогнапряжение |
VГЭ ((th) |
Я...В=18mA, VCE=VGE,Tвж= 25°C |
5.0 6.07.0 |
V |
|||
¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ Ворота зарядка |
Q.G |
VГЭ=-15В...+15В, Tвж= 25°C |
3.3 |
uC |
|||
Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление Внутренние ворота резистор |
RГинт |
Tвж= 25°C |
1.7 |
Ω |
|||
входящая емкость Предельный объем вводаацитанция |
ВИС |
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В |
19.2 |
nF |
|||
Возвращенная емкость передачи Обратный транСферная емкость |
Врес |
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В |
0.93 |
nF |
|||
集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока Коллектор-эмитент предел cрента |
Я...CES |
VCE=1200В, VГЭ=0V, Tвж=25°C |
5.00 |
mA |
|||
?? 极- ь ь ь ь ь ь ь Излучатель ворот утечка текущий |
Я...ГЭС |
VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C |
500 |
nA |
|||
开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд) Включение время задержки, индуктивный нагрузка |
td( на) |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
95 105
110 |
n n n |
|||
Повышение времени( электрический заряд) Время встать. индуктивный нагрузка |
tr |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
70 80
80 |
n n n |
|||
关断延迟时间( электрический заряд) Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка |
td(отключить) |
Я...В=450A, VCE=600В VГЭ=±15В RГон= 1Ω RГофф.= 1Ω
Индуктивный Лоаd, |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C
Tвж= 150°C |
325 375
390 |
n n n |
||
Снижение времени( электрический заряд) Осень. индуктивный нагрузка |
tf |
60 60
60 |
n n n |
||||
开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс) Включение энергии потеря по пу- Ясно. |
Ена |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
22.2 39.6 42.9 |
mJ mJ mJ |
|||
关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс) Энергия отключения потеря по пульс |
Еотключить |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
22.4 29.5 31.0 |
mJ mJ mJ |
|||
结-外 热阻 Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело |
RthJC |
По IGBT / Каждый. IGBT |
0.07 |
К/В |
рабочая температура Температура иПереход условия |
Tвпп |
-40 |
150 |
°C |
||
Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь Максимальная Номинальные значения/ максимум定值 |
||||||
Положение |
СимволУсловия |
Стоимость |
Объекты |
|||
Возвращение к пиковому напряжению Пик повторяющийся обратное напряжениеe |
VRRM Tвж= 25°C |
1200 |
V |
|||
непрерывный прямопоточный электрический ток Непрерывный DC дляТекущее соединение |
Я...F |
450 |
А. |
|||
正向重复峰值 электрический поток Пик повторяющийся переходный ток |
Я...ФРМ tp=1 мс |
900 |
А. |
|||
ХарактерУровни/ 特征值 |
||||||
Положение |
Символ Условия |
Минуточку. Тип. |
Макс. Макс. |
Объекты |
||
Прямое электрическое давление Напряжение вперед |
VF Я...F=450А |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
2.30 2.50 2.50 |
2.70 |
V |
|
В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение
Пик задним ходом восстановление cрента |
Я...rm
Q.РР
ЕРекс |
Я...F=450А - Да.F/dtотключить=5300A/μs VR = 600 V
VГЭ=-15В |
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C |
270 285
295 |
А. |
|
Обратная восстановительная нагрузка Обратно. восстановление chАрги |
29.6 64.1 74.3 |
μC |
||||
Возвратные потери восстановления Обратно. восстановление энергии (по пульс) |
11.4 22.0 25.7 |
mJ |
||||
结-外 热阻 Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело |
RthJC На диод / Каждый个二极管 |
0.16 |
К/В |
|||
рабочая температура Температура иПереход условия |
Tвпп |
-40 |
150 |
°C |
Модуль/ 模块 |
||||
Положение |
Символ |
Условия |
Стоимость |
Единица с |
绝缘测试电压 Изоляцияиспытательное напряжение |
VИСОЛ |
RMS, f=50Hz, t=1min |
3.0 |
kV |
模块基板材料 Материал модуль основополагающая |
Ку |
|||
Внутренняя изоляция Внутренние изоляция |
基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140) Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140) |
Аль.2О3 |
||
爬电距离 Кри расстояние страницы |
端子-散热片/ терминал к hсъешь раковину 端子-端子/терминал к терминеральный |
29.0 23.0 |
мм |
|
电气间隙 (электрический промежуток) Разрешение |
端子-散热片/ терминал к hсъешь раковину 端子-端子/терминал к терминеральный |
23.0 11.0 |
мм |
|
Индекс сравнительных электрических следов Сравнительное отслеживание индекс |
CTI |
> 400 |
Положение |
Символ |
Условия |
Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
Объекты |
杂散电感, модуль Неприкосновенный индуктивность модуль |
ЛSCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- чип
Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра |
RCC??+EE RАА+CC |
0.70 |
mΩ |
|||
температура хранения
ХранилищеПература |
TСТГ |
-40 |
125 |
°C |
||
модуль установки установки крутящего расстояния Монтажный торчто для модуль монтаж |
М |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
модуль установки установки крутящего расстояния Монтажный торчто для модуль монтаж |
М |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Вес
Вес |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный) Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Характеристика передачи IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=1Ω, VCE=600V
IGBT IGBT
Убытки переключения IGBT, инвертор (типичный) Переходный тепловой импеданс IGBT, инвертор
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=450A, VCE=600V
IGBT, RBSOA
Область безопасной работы IGBT, инвертор (RBSOA) Продвигающаяся характеристика диоды, инвертора (типичная)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=10Ω, Tvj=150°C
Потери переключения Диод, инвертор (типичный) Потери переключения Диод, инвертор (типичный)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=3,3 Ω, VCE=600V IF=450A, VCE=600V
Проходный тепловой импиданс Диод, инвертор
ZthJC=f (t)
"1200V 450A IGBT Half Bridge Module" представляет собой модуль питания с двумя изолированными биполярными транзисторами (IGBT) в конфигурации полумоста.Он предназначен для высокопроизводительных приложений, таких как промышленные двигатели или инверторы.Эффективное охлаждение имеет решающее значение для надежной работы, а подробные спецификации можно найти в информационном листе производителя.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания