Выделить:
Модули IGBT 300A
, Модули IGBT 62 мм
, модули 1200V IGBT
Течение сборника: |
200А |
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: |
2.5В |
Напряжение тока коллектор- эмиттера: |
1200 В |
Нынешний рейтинг: |
200А |
напряжение тока порога Ворот-излучателя: |
5В |
напряжение тока Ворот-излучателя: |
20 В |
Входная емкость: |
1.5nF |
Тип модуля: |
IGBT |
Диапазон рабочей температуры: |
-40°C к 150°C |
Емкость выхода: |
0.5nF |
Тип упаковки: |
62 мм |
Обратная емкость передачи: |
0.2nF |
частота переключения: |
20 кГц |
Направление напряжения: |
1200 В |
1200В 300А IGBT модули 62мм DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
Сильная энергия DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
1200 В 300А IGBT Половина Мост Модуль
Общий Описание
Модуль питания SOLIDPOWER IGBT обеспечивает низкие потери переключения, а также высокую способность RBSOA. Они предназначены для таких приложений, как индуктивное нагревание, сварка и высокочастотные переключения и т. Д..
Особенности:
- Технология 1200 В планарного отключения поля
- Диоды с свободным колесом с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
- Низкие потери при переключении
- Высокая способность RBSOA
Типичный Заявления:
- Индуктивное отопление
- Сварка
- Применение высокочастотного переключения
|
IGBT, Инвертор / IGBTИнверторный преобразователь
Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
集电极-发射极电压
Коллектор-эмитентнапряжение
|
VCES
|
Tвж= 25°C
|
1200
|
V
|
|
连续集电极直流电流
Непрерывный DC сборниктока
|
Я...В
|
TВ=100°C, Tvj= 175°C
TВ= 25°C, Tvj= 175°C
|
300
400
|
А.
А.
|
|
集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流
Пик повторятьи ток коллектора
|
Я...CRM
|
tp=1 мс
|
600
|
А.
|
|
общая потеря мощности
Всего мощность рассеиваетсяОтношение
|
ПВесь
|
TВ= 25°C, Tвж= 150°C
|
1500
|
W
|
|
Сверхвысокая напряженность.
Максимальный проходнапряжение электрического излучателя
|
VГЭС
|
|
±20
|
V
|
|
ХарактерУровни/ 特征值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Минуточку. Тип. Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
集电极-发射极 和电压
Сборник-излучатель saturatiна напряжение
|
VCE(сидел)
|
Я...В= 300А,ВГЭ=15В
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V
V
V
|
|
极 值电压
Предельный порогнапряжение
|
VГЭ ((th)
|
Я...В=12mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C
|
5.0 6.0 7.0
|
V
|
|
¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈
Ворота зарядка
|
Q.G
|
VГЭ=-15В... +15В
|
1.5
|
μC
|
|
Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление
Внутренние ворота резистор
|
RГинт
|
Tвж= 25°C
|
2.5
|
Ω
|
|
входящая емкость
Предельный объем вводаацитанция
|
ВИС
|
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В
|
12.8
|
nF
|
|
Возвращенная емкость передачи
Обратный транСферная емкость
|
Врес
|
f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В
|
0.62
|
nF
|
|
集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока
Коллектор-эмитент предел cрента
|
Я...CES
|
VCE=1200В, VГЭ=0V, Tвж=25°C
|
5.00
|
mA
|
|
?? 极- ь ь ь ь ь ь ь
Излучатель ворот утечка текущий
|
Я...ГЭС
|
VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)
Включение время задержки, индуктивный нагрузка
|
td( на)
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
90
105
110
|
n
n
n
|
|
Повышение времени( электрический заряд)
Время встать. индуктивный нагрузка
|
tr
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
64
66
70
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间( электрический заряд)
Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка
|
td(отключить)
|
Я...В= 300A, VCE=600В
VГЭ=±15В
RГон=2 Ω
RГофф.=2 Ω
Индуктивный Лоаd,
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
285
310
330
|
n
n
n
|
|
Снижение времени( электрический заряд)
Осень. индуктивный нагрузка
|
tf
|
55
65
65
|
n
n
n
|
|
开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)
Включение энергии потеря по пу- Ясно.
|
Ена
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
mJ
mJ
mJ
|
|
关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)
Энергия отключения потеря по пульс
|
Еотключить
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
mJ
mJ
mJ
|
|
короткий путь данных
SC данные
|
Я...SC
|
VГЭ≤ 15 В, ВCC=800В
VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C
|
1200
|
А.
|
|
结-外 热阻
Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело
|
RthJC
|
По IGBT / Каждый. IGBT
|
0.10
|
К/В
|
|
рабочая температура
Температура иПереход условия
|
Tвпп
|
-40
|
150
|
°C
|
|
Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь
Максимальная Номинальные значения/ максимум定值
|
|
Положение
|
Символ CУсловия
|
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
Возвращение к пиковому напряжению
Пик повторяющийся обратное напряжениеe
|
VRRM Tвж= 25°C
|
|
1200
|
V
|
|
непрерывный прямопоточный электрический ток
Непрерывный DC дляТекущее соединение
|
Я...F
|
|
300
|
А.
|
|
正向重复峰值 электрический поток
Пик повторяющийся переходный ток
|
Я...ФРМ tp=1 мс
|
|
600
|
А.
|
|
ХарактерУровни/ 特征值
|
|
Положение
|
СимволУсловия
|
Минуточку.
|
Тип. Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
Прямое электрическое давление
Напряжение вперед
|
VF Я...F=300A
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V
V
V
|
|
В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение
Пик задним ходом восстановление cрента
|
Я...RM
Q.r
ЕРекс
|
Я...F=300A
- Да.F/dtотключить=4000A/μs
VR = 600 V
VГЭ=-15В
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
182
196
199
|
А.
А.
А.
|
|
Обратная восстановительная нагрузка
Сбор за возврат
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
μC
μC
μC
|
|
Возвратные потери восстановления
Обратно. восстановление энергии (по пульс)
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
mJ
mJ
mJ
|
|
结-外 热阻
Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело
|
RthJC На диод / Каждый个二极管
|
|
0.23
|
К/В
|
|
рабочая температура
Температура иПереход условия
|
Tвпп
|
-40
|
150
|
°C
|
|
Модуль/ 模块
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
绝缘测试电压
Изоляцияиспытательное напряжение
|
VИСОЛ
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
3.0
|
kV
|
|
模块基板材料
Материал модуль основополагающая
|
|
|
Ку
|
|
|
Внутренняя изоляция
Внутренние изоляция
|
|
基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)
Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)
|
Аль.2О3
|
|
|
爬电距离
Ужасное.танцевать
|
|
端子-散热片/ терминал to нагреватель
端子-端子/терминал к терминеральный
|
29.0
23.0
|
мм
|
|
电气间隙 (электрический промежуток)
Разрешение
|
|
端子-散热片/ терминал to нагреватель
端子-端子/терминал к терминеральный
|
23.0
11.0
|
мм
|
|
Индекс сравнительных электрических следов
СравнительныйОтслеживание индекс
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Минуточку.
|
Тип.
|
Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
杂散电感, модуль
Неприкосновенный индуктивность модуль
|
ЛSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- чип
Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра
|
RCC??+EE
RАА+CC??
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
температура хранения
ХранилищеПература
|
TСТГ
|
|
-40
|
|
125
|
°C
|
|
модуль установки установки крутящего расстояния
Монтажный торчто для модуль монтаж
|
М
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子联接扭距
Соединение терминалаn крутящего момента
|
М
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Вес
Вес
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный) Характеристика выхода IGBT, инвертор (типичный)
Я...В=f (V)CE) IВ=f(VCE)
VГЭ=15В Tvj=150°C
IGBT IGBT
Характеристика передачи IGBT, инвертор (типичный) Потери переключения IGBT, инвертор (типичный)
Я...В=f (V)ГЭ) E=f (IВ)
VCE=20В ВГЭ=±15В, RГон=2 Ω, RГофф.=2 Ω, VCE=600В
IGBT IGBT
Убытки переключения IGBT, инвертор (типичный) Периодическая тепловая импеданс IGBT, инвертор
E=f (R)G) ZthJC=f (t)
VГЭ=±15В, IВ= 300A, VCE=600В
IGBT, ((RBSOA)
Область безопасной работы IGBT, инвертор (RBSOA) Продвинутая характеристика диода, инвертора (типичный)
Я...В=f (V)CE) IF=f (V)F)
VГЭ=±15В, RГофф.=2 Ω, Tвж= 150°C
Потери переключения Диод, инвертор (типичный) Потери переключения Диод, инвертор (типичный)
Erec=f (I)F) Erec=f (РГ)
RГон=2 Ω, VCE=600В IF= 300A, VCE=600В
ФРД
ФРД с преходящей тепловой импеданцией, инвертор
ZthJC=f (t)
Модуль "IGBT Half Bridge" 1200V 300A интегрирует два IGBT в конфигурации полумоста для высокомощных приложений, предлагая точное управление напряжением (1200V) и током (300A).Эффективное охлаждение имеет решающее значение, а подробные спецификации можно найти в листе данных производителя.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
