OEM IGBT Модуль питания 1200V 300A Модуль полумоста DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Установка мощности твердого топлива DS-SPS300B12G6M4-S04020025
1200 В 300А IGBT Половина Мост Модуль
□ Технология 1200В Trench+ Field Stop
□ Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
□ VCE ((sat)с положительным температурным коэффициентом
□ Низкие потери при переключении
□ Индуктивное нагревание
□ Сварка
□ Использование высокочастотного переключения
Пакет
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Испытательное напряжение изоляции
|
ВИЗОЛ |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Материал основной платы модуля
|
|
|
Ку
|
|
|
Внутренняя изоляция
|
|
(класс 1, IEC 61140)
Основная изоляция (класс 1, IEC 61140)
|
Аль.2О3
|
|
|
Расстояние ползания
|
ДРЕПП |
Терминал к теплоотводу |
29.0 |
мм
|
| ДРЕПП |
терминал к терминалу |
23.0 |
|
Разрешение
|
Да, ясно. |
Терминал к теплоотводу |
23.0 |
мм
|
| Да, ясно. |
терминал к терминалу |
11.0 |
|
Сравнительный индекс отслеживания
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Модуль блуждающей индуктивности
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Модульное сопротивление свинцу, терминалы - чип
|
RCC+EE |
|
TВ= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Температура хранения
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C |
|
Момент установки для установки модуля
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Крутящий момент терминального соединения
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Вес
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Максимальная Рейтинговый Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Напряжение коллектора-излучателя
|
VCES |
|
Tвж= 25°C |
1200
|
V
|
|
Максимальное напряжение порта-излучателя
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Переходное напряжение порта-излучателя
|
VGES |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока
|
Я...В |
|
TВ= 25°C |
400 |
А.
|
| TВ=100°C |
300 |
|
Импульсный ток коллектора,tp ограничен Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
А.
|
|
Рассеивание энергии
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Характеристика Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Напряжение насыщения коллектора-излучателя
|
VCE ((sat) |
Я...В= 300A, VГЭ=15В |
Tвж= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tвж=125°C |
|
1.65 |
|
| Tвж= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Пороговое напряжение
|
VGE ((th) |
VCE=VГЭЯ...В=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Ограничительный ток коллектора-излучателя
|
ICES |
VCE=1200В, VГЭ=0В |
Tвж= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tвж= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Ток утечки от порта-излучателя
|
IGES |
VCE=0V,VГЭ=±20В, Tвж= 25°C |
-200. |
|
200 |
nA |
|
Сбор за вход
|
Q.G |
VCE=600В, IВ= 300A, VГЭ=±15В |
|
3.2 |
|
μC |
|
Вводная емкость
|
Сие |
VCE=25В, VГЭ=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Выходная емкость
|
Коэ |
|
1.89 |
|
|
Капацитет обратной передачи
|
Крес |
|
0.54 |
|
|
Внутренний резистор шлюза
|
RGint |
Tвж= 25°C |
|
1.2 |
|
Ω |
|
Время задержки включения, индуктивная нагрузка
|
Включено |
VCC= 600 В,IВ=300A RG=1,8Ω, VГЭ=±15В |
Tвж= 25°C |
|
130 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
145 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
145 |
|
n |
|
Время подъема, индуктивная нагрузка
|
tr |
Tвж= 25°C |
|
60 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
68 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
68 |
|
n |
|
Время задержки отключения, индуктивная нагрузка
|
Тд ((отключено) |
VCC= 600 В,IВ=300A RG=1,8Ω, VГЭ=±15В |
Tвж= 25°C |
|
504 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
544 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
544 |
|
n |
|
Время падения, индуктивная нагрузка
|
tf |
Tвж= 25°C |
|
244 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
365 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
370 |
|
n |
|
Потеря энергии при включении на импульс
|
Эон |
VCC= 600 В,IВ=300A RG=1,8Ω, VГЭ=±15В |
Tвж= 25°C |
|
7.4 |
|
mJ |
| Tвж=125°C |
|
11.1 |
|
mJ |
| Tвж= 150°C |
|
11.6 |
|
mJ |
|
Выключить потерю энергии на импульс
|
Еоф |
Tвж= 25°C |
|
32.0 |
|
mJ |
| Tвж=125°C |
|
39.5 |
|
mJ |
| Tвж= 150°C |
|
41.2 |
|
mJ |
|
Данные SC
|
МКК |
VГЭ≤ 15 В, ВCC=600В |
tp≤10μs Tвж= 150°C |
|
|
1350
|
А.
|
|
Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
К / В |
|
Операционная температура
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Диод
Максимальная Рейтинговый Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Повторяющееся обратное напряжение
|
VRRM |
|
Tвж= 25°C |
1200
|
V
|
|
Постоянный постоянный ток вперед
|
Я...F |
|
300
|
А.
|
|
Диодный импульсный ток,tp ограниченный TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Характеристика Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Напряжение вперед
|
VF |
Я...F= 300A, VГЭ=0В |
Tвж= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tвж=125°C |
|
2.50 |
|
| Tвж= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Время обратного восстановления
|
trr |
Я...F=300A
ДИF/dt=-4900A/μs (T)вж=150°C) VR= 600 В,
VГЭ=-15В
|
Tвж= 25°C |
|
90 |
|
n
|
| Tвж=125°C |
120 |
| Tвж= 150°C |
126 |
|
Пиковый обратный рекуперативный ток
|
IRRM |
Tвж= 25°C |
|
212 |
|
А.
|
| Tвж=125°C |
245 |
| Tвж= 150°C |
250 |
|
Сбор за возврат средств
|
QRR |
Tвж= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Tвж=125°C |
27 |
| Tвж= 150°C |
35 |
|
Потери энергии обратной рекуперации на импульс
|
Эрек |
Tвж= 25°C |
|
7.7 |
|
mJ
|
| Tвж=125°C |
13.3 |
| Tвж= 150°C |
14.0 |
|
Тепловое сопротивление диодов, корпус соединения
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
К / В
|
|
Операционная температура
|
TJop |
|
-40
|
|
150
|
°C |
Выпуск характеристика (типичная) Выпуск характерный (типичный)
Я...В= f (VCE) IВ= f (VCE)
Tвж= 150°C
IGBT
Перевод Характерный (типичный) Переход убытки IGBT(типичный)
Я...В= f (VГЭ) E = f (RG)
VCE= 20ВВГЭ= ±15В, IВ= 300A, VCE= 600 В
IGBT RBSOA
Переход убытки IGBT(типичный) Обратно предвзятость безопасно работающий Площадь (RBSOA)
E = f (IВ) IВ=f (V)CE)
VГЭ= ±15В, RG= 1,8Ω, VCE= 600ВВГЭ= ±15В, RГофф.= 1,8Ω, Tвж= 150°C
Типичный емкость как а) Функция из коллектор-эмитент напряжение (типичный)
C = f (V)CE) VГЭ= f (QG)
f = 100 кГц, VГЭ= 0V IВ= 300A, VCE= 600 В
IGBT
IGBT преходящий тепловая Импедантность как а) Функция пульса ширина Вперед характеристика из Диод (типичный)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Потери при переключении Диод (типичный)Потери диоды (типичные)
ЕРекс= f (RG) EРекс= f (IF)
Я...F= 300A, VCE= 600 В RG= 1,8Ω, VCE= 600 В
Диод преходящий тепловая Импедантность как а) Функция из пульс ширина
Zth(j-c) = f (t)
Модуль IGBT с полумостом - это мощное электронное устройство, которое сочетает в себе два изолированных биполярных транзистора (IGBT), расположенных в конфигурации с полумостом.Эта конфигурация обычно используется в различных приложениях, где требуется двунаправленное управление мощностьюВот некоторые ключевые моменты о IGBT полумостовых модулей:
1. IGBT: IGBT - это полупроводниковые устройства, которые сочетают в себе характеристики обоих изолированных транзисторов с эффектом поля (IGFET) и транзисторов с биполярным соединением (BJT).Они широко используются в силовой электронике для переключения и управления электрической энергией.
2Конфигурация полумоста: Конфигурация полумоста состоит из двух IGBT, соединенных в серии, образующих мостовую схему.Один IGBT отвечает за проводимость в течение положительного полуцикла входной формы волныЭто расположение позволяет двунаправленное управление током.
3. Напряжение и номинальные токи: IGBT полумостовые модули указаны с напряжением и номинальными токами. Например, общий рейтинг может быть 1200V / 300A,с указанием максимального напряжения и тока, с которыми может справиться модуль.
4. Приложения: IGBT полумостовые модули находят применение в приводах двигателей, инверторах, источниках питания и других системах, требующих управляемого переключения питания.Они подходят для применений, где требуется регулирование переменной скорости или инверсия мощности..
5. Охлаждение и тепловое управление: как и в случае с отдельными IGBT, IGBT полумостовые модули генерируют тепло во время работы.имеют решающее значение для поддержания надлежащей производительности и надежности устройства.
6. Схема управления шлюзами: Правильная схема управления шлюзами необходима для эффективного управления переключением IGBT.Это включает в себя обеспечение того, чтобы сигналы ворот были правильно настроены и имели достаточные уровни напряжения..
7. лист данных: пользователи должны ознакомиться с листом данных производителя для получения подробных спецификаций, электрических характеристик,и рекомендации по применению, специфические для используемого модуля IGBT полумоста.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания
Размеры в мм
мм
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
