1200V 300A SiC MOSFET Полумостовой модуль полупроводников DS-SPS300MB12G6S-S04310004
Установка мощности на твердом топливе DS-SPS300MB12G6S-S04310004
1200 В 300А SiC MOSFET Половина Мост Модуль
Особенности:
- Применение высокочастотного переключения
- Нулевой обратный рекуперативный ток от диоды
- Нулевой отключающий хвостовой ток от MOSFET
- Ультра низкие потери
- Легкость параллелизации
Типичный Заявления:
- Индукционное нагревание
- Инверторы солнечных и ветровых батарей
- Преобразователи постоянного тока и постоянного тока
- Зарядные устройства для батарей
|
MOSFET
Максимальная Номинальные значения/ Максимальная сумма值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
漏极-源极电压
Напряжение отводного источника
|
VDSS
|
Tвж= 25°C
|
1200
|
V
|
|
непрерывный потоковой ток
Продолжайте.с DC Ток оттока
|
Я...D
|
VGS=20В, TВ= 25°C, Tvjmax= 175°C
VGS=20В, TВ= 85°C, Tvjmax= 175°C
|
400
300
|
А.
|
|
脉冲漏极 электрический поток
Импульсный отвод текущий
|
Я...D пульс
|
Ширина импульса tpограниченный отTvjmax
|
1200
|
А.
|
|
общая потеря мощности
Всего мощность рассеиваетсяОтношение
|
ПВесь
|
TВ= 25°C,Tvjmax= 175°C
|
1153
|
W
|
|
Сверхвысокое давление
Максимальная дверь- напряжение источника
|
VГСС
|
|
- 10/25
|
V
|
|
ХарактерУровни/ 特征值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Минуточку. Тип. Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
漏极-源极通态电阻
Источник отвода включен сопротивление
|
RДС( на)
|
Я...D= 300А,ВGS=20В
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
极 值电压
Предельный порогнапряжение
|
VGS (((th)
|
Я...В=90mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C
Я...В=90mA, VCE=VГЭ, Tвж= 150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V
|
|
跨导
Транспроводность
|
гфс
|
VДС = 20 V, Я...ДС = 300 А, Tвж= 25°C
VДС = 20 V, Я...ДС = 300 А, Твж= 150°C
|
211
186
|
S
|
|
¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈
Ворота зарядка
|
Q.G
|
VГЭ=-5В...+20В
|
1170
|
nC
|
|
Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление
Внутренние ворота резистор
|
RГинт
|
Tвж= 25°C
|
2.0
|
Ω
|
|
входящая емкость
Предельный объем вводаацитанция
|
ВИС
|
f=1MHz,Tвж= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VГЭ=0В
|
25.2
|
nF
|
|
выходная мощность
Выпуск емкость
|
ВОу
|
f=1MHz,Tвж= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VГЭ=0В
|
1500
|
pF
|
|
Возвращенная емкость передачи
Обратный транСферная емкость
|
Врес
|
f=1MHz,Tвж= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VГЭ=0В
|
96
|
pF
|
|
零 电压 漏极电流
Нулевая врата vОльга отвод текущий
|
Я...DSS
|
VДС=1200В, VGS=0V, Tвж= 25°C
|
300
|
μА.
|
|
?? 极-源极漏电流
Источник входа ЛяАккуратный ток
|
Я...ГСС
|
VДС=0V, VGS=20В, Tвж= 25°C
|
100
|
nA
|
|
开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)
Включение время задержки, индуктивный нагрузка
|
td( на)
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
76
66
66
|
n
n
n
|
|
Повышение времени( электрический заряд)
Время встать. индуктивный нагрузка
|
tr
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
62
56
56
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间( электрический заряд)
Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка
|
td(отключить)
|
Я...D= 300A, VДС=600В
VGS=-5/20В
RГон= 2,5Ω
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
308
342
342
|
n
n
n
|
|
Снижение времени( электрический заряд)
Осень. индуктивный нагрузка
|
tf
|
RГофф.= 2,5Ω
Lσ = 56 nH
Индуктивный Лоаd,
|
Tвж= 25°C
Tвж=125°C
Tвж= 150°C
|
94
92
92
|
n
n
n
|
|
开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)
Включение энергии потеря по пу- Ясно.
|
Ена
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
mJ
mJ
|
|
关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)
Энергия отключения потеря по пульс
|
Еотключить
|
Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
mJ
mJ
|
|
结-外 热阻
Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело
|
RthJC
|
По MOSFET / Каждый. MOSFET
|
0.12
|
К/В
|
|
рабочая температура
Температура иПереход условия
|
Tвпп
|
|
-40150
|
°C
|
|
Диод/二极管
Максимальная Номинальные значения/ максимум定值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
непрерывный прямопоточный электрический ток
Непрерывный диод дляотделение текущий
|
Я...F
|
VGS = -5 В, TВ = 25 ̊C
|
400
|
А.
|
|
ХарактерУровни/ 特征值
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Минуточку. Тип. Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
Прямое электрическое давление
Напряжение вперед
|
VСД
|
Я...F= 300A, VGS=0В
|
Tвж= 25°C Tвж= 150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V
V
|
|
结-外 热阻
Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело
|
RthJC
|
На диод/ Каждый из них
|
0.13
|
К/В
|
|
рабочая температура
Температура иПереход условия
|
Tвпп
|
|
-40 150
|
°C
|
|
Модуль/ 模块
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Стоимость
|
Объекты
|
|
绝缘测试电压
Изоляцияиспытательное напряжение
|
VИСОЛ
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
kV
|
|
模块基板材料
Материал модуль основополагающая
|
|
|
Ку
|
|
|
Внутренняя изоляция
Внутренние изоляция
|
|
基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)
Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)
|
Аль.2О3
|
|
|
爬电距离
Ужасное.танцевать
|
|
端子-散热片/ терминал to нагреватель
端子-端子/терминал к терминеральный
|
29.0
23.0
|
мм
|
|
电气间隙 (электрический промежуток)
Разрешение
|
|
端子-散热片/ терминал to нагреватель
端子-端子/терминал к терминеральный
|
23.0
11.0
|
мм
|
|
Индекс сравнительных электрических следов
Сравнительное отслеживание индекс
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Положение
|
Символ
|
Условия
|
Минуточку.
|
Тип.
|
Макс. Макс.
|
Объекты
|
|
杂散电感, модуль
Неприкосновенный индуктивность модуль
|
ЛSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
модульное проводное сопротивление,端子- чип
Модуль свинец сопротивление, терминалы - чип
|
RCC+EE
|
TВ= 25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
температура хранения
ХранилищеПература
|
TСТГ
|
|
-40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭矩
Монтажный торчто для модуль монтаж
|
М5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子联接扭矩
Соединение терминалаn крутящего момента
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Вес
Вес
|
G
|
|
|
300
|
|
g
|
МОСФЕТ МОСФЕТ
Характеристика выхода MOSFET (типичный) Характеристика выхода MOSFET (типичный)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Нормированный источник оттока на сопротивление (типичный) Нормированный источник оттока на сопротивление (типичный)
РДСын.(P.U.) = f ((T)вж) RDSon=f(IДС)
Я...ДС=120А ВGS=20В ВGS=20В
Источник оттока на сопротивление (типичный) Пороговое напряжение (типичный)
РДСын.=f(Tвж) VDS ((th)=f(Tвж)
Я...ДС=120А ВДС=VGSЯ...ДС= 30 мА
MOSFET
Переносная характеристика MOSFET (типичная) Переносная характеристика диода (типичная)
Я...ДС=f(VGS)Я...ДС=f(VДС)
VДС=20В Твж= 25°C
Перспективная характеристика диода (типичная) характеристика 3rdКвадрант (типичный)
Я...ДС=f(VДС) IДС=f(VДС)
Tвж=150°C Твж= 25°C
MOSFET
характеристика 3rdКвадрантная (типичная) характеристика заряда порта MOSFET (типичная)
Я...ДС=f(VДС) VGS=f ((QG)
Tвж=150°C VДС=800В, IДС= 120A, Tвж= 25°C
МОСФЕТ МОСФЕТ
Характеристика мощности MOSFET ((типичный) Потери переключения MOSFET (типичный)
C=f(VДС) E=f(IВ)
VGS=0V, Tвж=25°C, f=1MHz VГЭ=-5/20В, RG=2,5 Ω, VCE=600В
МОСФЕТ МОСФЕТ
Потери переключения MOSFET (типичный) МОСФЕТ временного теплового импеданса
E=f (РГ) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Диод временной тепловой импеданции
ZthJC=f (t)
"1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module" интегрирует два транзистора с полевым эффектом карбида кремния-оксида металла-полупроводника (SiC MOSFET) в конфигурации полумоста.Проектированные для применения на высокой мощности, обеспечивает точное управление напряжением (1200 В) и током (300 А), с такими преимуществами, как повышение эффективности и производительности в промышленных условиях.Эффективное охлаждение имеет решающее значение для надежной работы, а подробные спецификации можно найти в листе данных производителя.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания
мм
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
