200A 1200V IGBT полумостовой модуль 62 мм DS-SPS200B12G6H4-S04020005

IGBT, Инвертор / IGBTИнверторный преобразователь

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная стоимость

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

集电极-发射极电压

Коллектор-эмитентнапряжение

VCES

Tвж= 25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Непрерывный DC сборниктока

Я...В

TВ = 100°C, Tвж максимум= 175°С

TВ = 25°C, Tвж максимум= 175°С

200

280

А.

А.

集电极重复峰值电流 集电极 重复峰值电流 集电极 重复峰值电流

Пик повторятьи ток коллектора

Я...CRM

tp=1 мс

400

А.

общая потеря мощности

Всего мощность рассеиваетсяОтношение

ПВесь

TВ= 25°C, Tвж= 175°C

1070

W

Сверхвысокая напряженность.

Максимальный проходнапряжение электрического излучателя

VГЭС

±20

V

Характерные ценности/ 特征值

Положение

Символ

Условия

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

Объекты

集电极-发射极 和电压

Сборник-излучатель saturatiна напряжение

VCE(сидел)

Я...В=200А,ВГЭ=15В

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

1.50

2.40

2.95

3.00

3.00

V

V

V

极 值电压

Предельный порогнапряжение

VГЭ ((th)

Я...В=8mA, VCE=VГЭ, Tвж= 25°C

5.0 6.0 7.0

V

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

Q.G

VГЭ=-15В... +15В

0.8

μC

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

RГинт

Tвж= 25°C

2.5

Ω

входящая емкость

Предельный объем вводаацитанция

ВИС

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

8.76

nF

Возвращенная емкость передачи

Обратный транСферная емкость

Врес

f=1 МГц, Tвж= 25°C, VCE=25В, VГЭ=0В

0.40

nF

集电极-发射极截止电流 отключение электрического потока

Коллектор-эмитент предел cрента

Я...CES

VCE=1200В, VГЭ=0V, Tвж=25°C

5.00

mA

?? 极- ь ь ь ь ь ь ь

Излучатель ворот утечка текущий

Я...ГЭС

VCE=0V, VГЭ=20В, Tвж= 25°C

200

nA

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

td( на)

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

65

75

75

n

n

n

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

tr

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

45

55

55

n

n

n

关断延迟时间( электрический заряд)

Отключение dВремя пропускания, индуктивный нагрузка

td(отключить)

Я...В=200A, VCE=600В

VГЭ=±15В

RГон=3,3 Ω

RГофф.=3,3 Ω

Индуктивный Ло.объявление

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

205

230

235

n

n

n

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

tf

55

85

85

n

n

n

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пу- Ясно.

Ена

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

16.7

26.4

28.2

mJ

mJ

mJ

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

Еотключить

Tвж= 25°C Tвж=125°C Tвж= 150°C

4.9

8.8

9.6

mJ

mJ

mJ

короткий путь данных

SC данные

Я...SC

VГЭ≤ 15 В, ВCC=800В

VCEmax=VCES- ЛSCE·di/dt, tp=10μs, Tвж= 150°C

800

А.

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

RthJC

По IGBT / Каждый. IGBT

0.14

К/В

рабочая температура

Температура иПереход условия

Tвпп

-40

150

°C

Диод, инвертор/ 二极管, обратный преобразователь

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

Положение

Символ CУсловия

Стоимость

Объекты

Возвращение к пиковому напряжению

Пик повторяющийся обратное напряжениеe

VRRM Tвж= 25°C

1200

V

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный DC дляТекущее соединение

Я...F

200

А.

正向重复峰值 электрический поток

Пик повторяющийся переходный ток

Я...ФРМ tp=1 мс

400

А.

Характерные ценности/ 特征值

Положение

СимволУсловия

Минуточку. Тип.

Макс. Макс.

Объекты

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

VF Я...F=200А

Tвж= 25°C Tвж=125°CTвж= 150°C

1.50

1.80

1.80

1.80

2.40

V

V

V

В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение

Пик задним ходом восстановление cрента

Я...RM

Q.r

ЕРекс

Я...F=200А

-di/dt=3200A/μs VR = 600 В

VГЭ=-15В

Tвж= 25°C Tвж=125°CTвж= 150°CTвж= 25°C Tвж=125°CTвж= 150°CTвж= 25°C Tвж=125°CTвж= 150°C

140

140

140

А.

А.

А.

Обратная восстановительная нагрузка

Сбор за возврат

14.5

22.528.0

μC

μC

μC

Возвратные потери восстановления

Обратно. восстановление энергии (по пульс)

4.5

8.7 9.9

mJ

mJ

mJ

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

RthJC На диод / Каждый个二极管

0.23

К/В

рабочая температура

Температура иПереход условия

Tвпп

-40

150

°C

Модуль/ 模块

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

绝缘测试电压

Изоляцияиспытательное напряжение

VИСОЛ

RMS, f=50Hz, t=1min

3.0

kV

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

Ку

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

Аль.2О3

爬电距离

Ужасное.танцевать

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

29.0

23.0

мм

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминеральный

23.0

11.0

мм

Индекс сравнительных электрических следов

СравнительныйОтслеживание индекс

CTI

> 400

Положение

Символ

Условия

Минуточку.

Тип.

Макс. Макс.

Объекты

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

ЛSCE

20

nH

模块引脚电阻, 端子- чип

Модуль Свинцовый Сопротивление ,Терминалы-Сбедра

RCC??+EE

RАА+CC??

0.7

mΩ

температура хранения

ХранилищеПература

TСТГ

-40

125

°C

модуль установки установки крутящего расстояния

Монтажный торчто для модуль монтаж

М

M6

3.00

6.00

Nm

端子联接扭距

Соединение терминалаn крутящего момента

М

M6

2.50

5.00

Nm

Вес

Вес

G

320

g