Модуль питания MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

MOSFET

Максимальная Номинальные значения/ Максимальная стоимость

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

漏极-源极电压

Напряжение отводного источника

VDSS

Tvj=25°C

1200

V

непрерывный потоковой ток

Непрерывный DC Ток оттока

Идентификация

VGS=20В, TВ= 25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20В, TВ= 85°C, Tvjmax=175°C

180

120

А.

脉冲漏极 электрический поток

Импульсный отвод текущий

Идентификация пульс

Ширина импульса tpограниченный отTvjmax

480

А.

общая потеря мощности

Всего мощность рассеивание

Ptot

ТК= 25°C,Tvjmax=175°C

576

W

Сверхвысокое давление

Максимальное напряжение источника шлюза

VGSS

- 10/25

V

Характерные ценности/ 特征值

Положение

Символ

Условия

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

Объекты

漏极-源极通态电阻

Источник отвода включен сопротивление

RDS( на)

Идентификация= 120А,ВGS=20В

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

13.0

16.0 18.0

16.0

mΩ

mΩ

mΩ

极 值电压

Пороговое напряжение

VGS ((th)

IC=30mA, VCE=VГЭ, Tvj=25°C

IC=30mA, VCE=VГЭ, Tvj=150°C

2.0

2.4

1.7

4.0

V

跨导

Транспроводность

гфс

VDS = 20 V, Я...ДС = 120 А, Тvj=25°C

VDS = 20 V, Я...ДС = 120 А, Тvj=150°C

68.9

61.8

S

¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈

Ворота зарядка

Главное управление

VGE=-5V...+20V

474

nC

Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление

Внутренние ворота резистор

RGint

Tvj=25°C

2.2

Ω

входящая емкость

Входящая емкость

Сие

f=1MHz,TVj= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VGE=0V

8850

pF

выходная мощность

Выпуск емкость

Коэ

f=1MHz,TVj= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VGE=0V

564

pF

Возвращенная емкость передачи

Возвратная емкость передачи

Крес

f=1MHz,TVj= 25°C,ВДС=1000В, VКондиционер=25mV, VGE=0V

66

pF

零 电压 漏极电流

Нулевое напряжение шлюза отвод текущий

IDSS

VDS=1200В, VGS=0V, Tvj=25°C

300

μА.

?? 极-源极漏电流

Источник входа Ток утечки

IGSS

VDS=0V, VGS=20В, Tvj=25°C

100

nA

开通延迟时间 (отложенное время)( электрический заряд)

Включение время задержки, индуктивный нагрузка

Тд( на)

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

10

8

8

n

n

n

Повышение времени( электрический заряд)

Время встать. индуктивный нагрузка

Тр

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

36

34

34

n

n

n

关断延迟时间( электрический заряд)

Время задержки отключения; индуктивный нагрузка

Тд(отключить)

Идентификация=120A, VDS=600В

VGS=-5/20В

RGon=3.3Ω

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

128

140

140

n

n

n

Снижение времени( электрический заряд)

Осень. индуктивный нагрузка

Тф

RGoff=3.3Ω

Lσ = 56 nH

Индуктивный Загрузка,

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

62

62

62

n

n

n

开通损耗能量 (отсутствие энергии)(Каждый импульс)

Включение энергии потеря по пульс

Эон

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

2.35

2.15

2.15

mJ

mJ

关断损耗能量 (отключение энергии)(Каждый импульс)

Энергия отключения потеря по пульс

Еоф

Телевидение= 25°C Tвж=125°C Tvj=150°C

1.65

1.80

1.80

mJ

mJ

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

RthJC

По MOSFET / Каждый. MOSFET

0.23

К/В

рабочая температура

Температура иПереход условия

Телевизионная работа

-40 150

°C

Диод/二极管

Максимальная Номинальные значения/ максимум额定值

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

непрерывный прямопоточный электрический ток

Непрерывный диод вперед текущий

Если

VGS = -5 В, TВ = 25 ̊C

177

А.

Характерные ценности/ 特征值

Положение

Символ

Условия

Минуточку. Тип. Макс. Макс.

Объекты

Прямое электрическое давление

Напряжение вперед

ВСД

Если=120A, VGS=0V

Телевидение= 25°C Tvj=150°C

1.45

1.90

1.80

V

V

结-外 热阻

Тепловые сопротивление, юОтношение к Дело

RthJC

На диод / Каждый из них

0.30

К/В

рабочая температура

Температура иПереход условия

Телевизионная работа

-40 150

°C

Модуль/ 模块

Положение

Символ

Условия

Стоимость

Объекты

绝缘测试电压

Испытательное напряжение изоляции

ВИЗОЛ

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Материал модуль основополагающая

Ку

Внутренняя изоляция

Внутренние изоляция

基本绝缘(класс 1, Я...ЕС 61140)

Основные изоляция (класс 1, ВЭК 61140)

Al2О3

爬电距离

Расстояние ползания

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминалу

29.0

23.0

мм

电气间隙 (электрический промежуток)

Разрешение

端子-散热片/ терминал to нагреватель

端子-端子/терминал к терминалу

23.0

11.0

мм

Индекс сравнительных электрических следов

Сравнительное отслеживание индекс

CTI

> 400

Положение

Символ

Условия

Минуточку.

Тип.

Макс. Макс.

Объекты

杂散电感, модуль

Неприкосновенный индуктивность модуль

LsCE

20

nH

модульное проводное сопротивление,端子- чип

Модуль свинец сопротивление, терминалы - чип

RCC+EE

TC=25°C

0.465

mΩ

температура хранения

Температура хранения

Tstg

-40

125

°C

模块安装的安装扭矩

Мониторинг крутящего момента модуль монтаж

М5

2.50

5.00

Nm

端子联接扭矩

Крутящий момент терминального соединения

M6

3.00

5.00

Nm

Вес

Вес

G

300

g