продукты

Домой > продукты > Модули IGBT 62 мм > Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Категории

IGBT дискретный

(2)

Контакты

Контакты: Mr. Zhou

Телефон: 86-1360-528-8329

Свяжитесь сейчас

Перешлите нас

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Name: Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
Brand: Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
SKU: SPS600B12G6
Rating: 4.9 (134 reviews)

Подробная информация о продукции

Номер модели: SPS600B12G6

Условия оплаты и доставки

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Модули IGBT полумоста 62 мм, 62 мм IGBT полумостовой модуль, 600A IGBT полумостовой модуль
                              

Течение сборника:	100А	Напряжение тока коллектор- эмиттера:	1200 В
Текущий:	100А	Обязанность ворот:	100 н.с.
напряжение тока Ворот-излучателя:	± 20 В	Изоляционное напряжение:	2500V
Максимальная рабочая температура:	150°C	Стил монтажа:	Пошёл на хуй.
Выходной ток:	100А	Тип упаковки:	62 мм
Обратное время восстановления:	100ns	частота переключения:	20 кГц
Термостойкость:	0.2°C/W	Напряжение:	1200 В

Течение сборника:	100А
Напряжение тока коллектор- эмиттера:	1200 В
Текущий:	100А
Обязанность ворот:	100 н.с.
напряжение тока Ворот-излучателя:	± 20 В
Изоляционное напряжение:	2500V
Максимальная рабочая температура:	150°C
Стил монтажа:	Пошёл на хуй.
Выходной ток:	100А
Тип упаковки:	62 мм
Обратное время восстановления:	100ns
частота переключения:	20 кГц
Термостойкость:	0.2°C/W
Напряжение:	1200 В

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Сильная энергия DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Модуль полумоста IGBT 1200V 600A

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 0

Особенности:

Технология 1200В Trench+ Field Stop
Диоды с свободным колесом с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом
Низкие потери при переключении
Прочность короткого замыкания

Типичные применения:

Двигатели/сервоприводы
Преобразователи ветровых турбин
ПВ-инверторы
Преобразователи для хранения энергии
УВС

Пакет

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Испытательное напряжение изоляции	ВИЗОЛ	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Материал основной платы модуля				Ку
Внутренняя изоляция		(класс 1, IEC 61140) Основная изоляция (класс 1, IEC 61140)		Al2O3
Расстояние ползания	ДРЕПП	Терминал к теплоотводу		29.0			мм
	ДРЕПП	терминал к терминалу		23.0
Разрешение	Да, ясно.	Терминал к теплоотводу		23.0			мм
	Да, ясно.	терминал к терминалу		11.0
Сравнительный индекс отслеживания	CTI			> 400

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Модуль блуждающей индуктивности	LsCE				20		nH
Модульное сопротивление свинцу, терминалы - чип	RCC+EE		TC=25°C		0.70		mΩ
Температура хранения	Tstg			-40		125	°C
Момент установки для установки модуля	M6			3.0		6.0	Nm
Крутящий момент терминального соединения	M6			2.5		5.0	Nm
Вес	G				320		g

IGBT

Максимальные номинальные значения / максимальная предельная стоимость

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Напряжение коллектора-излучателя	VCES		Tvj=25°C	1200	V
Максимальное напряжение порта-излучателя	VGES			± 20	V
Переходное напряжение порта-излучателя	VGES	tp≤10μs, D=0.01		± 30	V
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока	IC		TC=25°C	700	А.
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока	IC		TC=80°C	550	А.
Импульсный ток коллектора,tp ограничен Tjmax	ICpulse			1200	А.
Рассеивание энергии	Ptot			2142	W

Характерные значения / 特征值

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
Положение	Символ	Условия		Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.	Единица
集电极-发射极和电压 Напряжение насыщения коллектора-излучателя	VCE ((sat)	IC=600A, VGE=15V	Tvj=25°C		2.00	2.40	V
			Tvj=125°C		2.40
			Tvj=150°C		2.50
极值电压 Пороговое напряжение	VGE ((th)	VCE=VGE, IC=24mA		5.5	6.3	7.0	V
集电极-发射极截止电流 Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	VCE=1200V, VGE=0V	Tvj=25°C			100	μA
集电极-发射极截止电流 Ограничительный ток коллектора-излучателя	ICES	VCE=1200V, VGE=0V	Tvj=150°C			5	mA
极- 发射极漏电流 Ток утечки от порта-излучателя	IGES	VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=25°C		-200.		200	nA
¥ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ Сбор за вход	Главное управление	VCE=600V, IC=600A, VGE=±15V			5.0		μC
входящая емкость Вводная емкость	Сие	VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz			80.0		nF
выходная мощность Выходная емкость	Коэ				2.85
Возвращенная емкость передачи Капацитет обратной передачи	Крес				1.48
Внутреннее ≈ экстремальное сопротивление Внутренний резистор шлюза	RGint	Tvj=25°C			2		Ω
开通延迟时间 (电感负载) отсрочка времени (电感负载) Время задержки включения, индуктивная нагрузка	Включено	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		340		n
			Tvj=125°C		376		n
			Tvj=150°C		384		n
Повышение времени. Время подъема, индуктивная нагрузка	Тр		Tvj=25°C		108		n
			Tvj=125°C		124		n
			Tvj=150°C		132		n
关断延迟时间 (Электрический заряд) Время задержки отключения, индуктивная нагрузка	Тд ((отключено)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		616		n
			Tvj=125°C		676		n
			Tvj=150°C		682		n
Снижение времени. Время падения, индуктивная нагрузка	Тф		Tvj=25°C		72		n
			Tvj=125°C		76		n
			Tvj=150°C		104		n
开通损耗能量 (每脉冲) Потеря энергии при включении на импульс	Эон	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		57.9		mJ
			Tvj=125°C		82.2		mJ
			Tvj=150°C		91.4		mJ
关断损耗能量 (每脉冲) 关断损耗能量 (每脉冲) Выключить потерю энергии на импульс	Еоф		Tvj=25°C		45.2		mJ
			Tvj=125°C		55.3		mJ
			Tvj=150°C		58.7		mJ
короткий путь данных Данные SC	МКК	VGE≤15V, VCC=800В	tp≤10μs Tvj=150°C			2500	А.
IGBT-объединение-внешний 热阻 Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения	RthJC					0.07	К / В
рабочая температура Операционная температура	TJop			-40		150	°C

Диод / 二极管

Максимальные номинальные значения / максимальная предельная стоимость

Положение	Символ	Условия		Ценности	Единица
Возвращение к пиковому напряжению Повторяющееся обратное напряжение	VRRM		Tvj=25°C	1200	V
непрерывный прямопоточный электрический ток Постоянный постоянный ток вперед	Если			600	А.
二极管正向不重复峰值电流 Диодный импульсный ток,tp ограничен TJmax	IFpulse			1200	А.

Характерные значения / 特征值

Положение	Символ	Условия		Ценности			Единица
				Минуточку.	Тип.	Макс. Макс.
Прямое электрическое давление Напряжение вперед	VF	Если=600A, ВГЭ=0В	Tvj=25°C		1.65	2.00	V
			Tvj=125°C		1.80
			Tvj=150°C		1.80
Время восстановления Время обратного восстановления	Trr	ИФ=600А dIF/dt=-4900A/μs (Tvj=150°C) VR=600V, VGE=-15В	Tvj=25°C		224		n
			Tvj=125°C		300
			Tvj=150°C		335
В обратном направлении восстановление пиковое электрическое течение Пиковый обратный рекуперативный ток	IRRM		Tvj=25°C		624		А.
			Tvj=125°C		649
			Tvj=150°C		665
Обратная восстановительная нагрузка Сбор за возврат средств	QRR		Tvj=25°C		95		μC
			Tvj=125°C		134.9
			Tvj=150°C		147.4
Возвратные потери восстановления Потери энергии обратной рекуперации на импульс	Эрек		Tvj=25°C		35.4		mJ
			Tvj=125°C		49.7
			Tvj=150°C		55.9
二极管结-外?? 热阻 Тепловое сопротивление диодов, корпус соединения	RthJCD					0.13	К / В
рабочая температура Операционная температура	TJop			-40		150	°C

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 1

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 2

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 3

Tags:

Модули IGBT 34 мм

Модули IGBT 62 мм

Модули IGBT EconoDual3

Модули IGBT EasyPIM

Модули IGBT EconoPack

Модули IGBT EconoPIM

Автомобильные модули

Гибридные дискретные SiC

Mosfet дискретный

IGBT дискретный

Модули IGBT полумоста 62 мм 1200 В 600 А DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.